在一个p-n结中，所加的反向电压完全由耗尽层来承担，因此，高压大功率垂直结构器件需要很厚的轻掺杂的硅层来承担很高的反向击穿电压。目前，高压大功率器件的衬底材料主要有三种制备技术：高温三重扩散、气相外延和硅-硅直接键合技术。与厚外延技术相比较，硅-硅直接键合技术有独特的优势^[41]：（1）避免了外延过程中的严重的自掺杂效应；（2）热消耗小，所用时间短；（3）硅层的质量好，厚度可以弹性大，杂质导电类型和浓度可以自由选择。硅-硅直接键合技术已经用于制造出高反向击穿电压（1800v）igbts^[42]。1995年，匈牙利的r. wiget用<111>硅片键合，然后在上面制备出品质优良的p-i-n二极管，其击穿电压为1400v，电流密度为