CMOS-IC电路
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:490
你知道什么是 cmos-ic 吗? 点开看看不就知道了?cmos-ic 为什么会成为当今微电子领域的一大热点呢?当然是由于它优良的 性能特点 决定的喽!告诉你cmos电路的使用规则吧!设计cmos电路时,应了解 jedec最低工业标准在使用cmos电路时, 应注意 输入/输出信号规则!什么是cmos-ic?
高噪声容限—cmos电路的噪声容限一般在40%电源电压以上。 宽工作电压范围—cmos 电路的电源电压一般为1.5~18伏。 高逻辑摆幅—cmos 电路输出高、低电平的幅度达到全电"1"为vdd,逻辑“0”为vss。
- 55 0c ~ 125 0c;塑封的cmos电路为 – 40 0c ~ 85 0c。
vdd~vss
18 ~ -0.5
v(dc)
iin
士10
ma(dc)
vi
vss ≤vi ≤ vdd+0.5
v(dc)
pd
200
mw
t
-55~125(陶封),-40~85(塑封)
0c
tstg
-65 ~ 150
0c
所有的cmos电路的输入端不能浮置,最好使用一个上拉或下拉电阻,以保护器件不受损害。
金属-氧化物-半导体(metal-oxide-semiconductor)结构的晶体管简称mos晶体管,有p型mos管和n型mos管之分。由 mos管构成的集成电路称为mos集成电路,而由pmos管和nmos管共同构成的互补型mos集成电路即为 cmos-ic( complementary mos integrated circuit)。
cmos集成电路的性能特点
微功耗—cmos电路的单门静态功耗在毫微瓦(nw)数量级。
高噪声容限—cmos电路的噪声容限一般在40%电源电压以上。 宽工作电压范围—cmos 电路的电源电压一般为1.5~18伏。 高逻辑摆幅—cmos 电路输出高、低电平的幅度达到全电"1"为vdd,逻辑“0”为vss。
高输入阻抗--cmos电路的输入阻抗大于108ω一般可达1010ω。 高扇出能力--cmos电路的扇出能力大于50。 低输入电容--cmos电路的输入电容一般不大于5pf。
宽工作温度范围—陶瓷封装的cmos电路工作温度范围为
- 55 0c ~ 125 0c;塑封的cmos电路为 – 40 0c ~ 85 0c。
所有的输入均有删保护电路,良好的抗辐照特性等。
你知道为什么cmos电路的直流功耗几近于零吗? jedec最低工业标准 jedec最低标准是电子工业协会(eia)联合电子器件工程委员会(jedec)主持下制定的cmos集成电路的最大额定范围和静态参数的最低工业标准。下表即为jedec 制定的cmos集成电路的最大额定范围:
电源电压
vdd~vss
18 ~ -0.5
v(dc)
直流输入电流
iin
士10
ma(dc)
输入电压
vi
vss ≤vi ≤ vdd+0.5
v(dc)
器件功耗
pd
200
mw
工作温度范围
t
-55~125(陶封),-40~85(塑封)
0c
存储温度范围
tstg
-65 ~ 150
0c
输入输出信号规则
所有的cmos电路的输入端不能浮置,最好使用一个上拉或下拉电阻,以保护器件不受损害。
在某些应用场合,输入端要串入电阻,以限制流过保护二极管的电流不大于10ma。
输入脉冲信号的上升和下降时间必须小于15us, 否则必须经施密特电路整形后方可输入cmos开关电路。
避免cmos电路直接驱动双极型晶体管,否则可能导致cmos电路的功耗超过规范值。
cmos缓冲器或大电流驱动器由于其本身的低输出阻抗,必须注意这些电路采用大负载电容(≥500pf)时等效于输出短路的情况。
cmos电路的输出不能并接成线逻
你知道什么是 cmos-ic 吗? 点开看看不就知道了?cmos-ic 为什么会成为当今微电子领域的一大热点呢?当然是由于它优良的 性能特点 决定的喽!告诉你cmos电路的使用规则吧!设计cmos电路时,应了解 jedec最低工业标准在使用cmos电路时, 应注意 输入/输出信号规则!什么是cmos-ic?
高噪声容限—cmos电路的噪声容限一般在40%电源电压以上。 宽工作电压范围—cmos 电路的电源电压一般为1.5~18伏。 高逻辑摆幅—cmos 电路输出高、低电平的幅度达到全电"1"为vdd,逻辑“0”为vss。
- 55 0c ~ 125 0c;塑封的cmos电路为 – 40 0c ~ 85 0c。
vdd~vss
18 ~ -0.5
v(dc)
iin
士10
ma(dc)
vi
vss ≤vi ≤ vdd+0.5
v(dc)
pd
200
mw
t
-55~125(陶封),-40~85(塑封)
0c
tstg
-65 ~ 150
0c
所有的cmos电路的输入端不能浮置,最好使用一个上拉或下拉电阻,以保护器件不受损害。
金属-氧化物-半导体(metal-oxide-semiconductor)结构的晶体管简称mos晶体管,有p型mos管和n型mos管之分。由 mos管构成的集成电路称为mos集成电路,而由pmos管和nmos管共同构成的互补型mos集成电路即为 cmos-ic( complementary mos integrated circuit)。
cmos集成电路的性能特点
微功耗—cmos电路的单门静态功耗在毫微瓦(nw)数量级。
高噪声容限—cmos电路的噪声容限一般在40%电源电压以上。 宽工作电压范围—cmos 电路的电源电压一般为1.5~18伏。 高逻辑摆幅—cmos 电路输出高、低电平的幅度达到全电"1"为vdd,逻辑“0”为vss。
高输入阻抗--cmos电路的输入阻抗大于108ω一般可达1010ω。 高扇出能力--cmos电路的扇出能力大于50。 低输入电容--cmos电路的输入电容一般不大于5pf。
宽工作温度范围—陶瓷封装的cmos电路工作温度范围为
- 55 0c ~ 125 0c;塑封的cmos电路为 – 40 0c ~ 85 0c。
所有的输入均有删保护电路,良好的抗辐照特性等。
你知道为什么cmos电路的直流功耗几近于零吗? jedec最低工业标准 jedec最低标准是电子工业协会(eia)联合电子器件工程委员会(jedec)主持下制定的cmos集成电路的最大额定范围和静态参数的最低工业标准。下表即为jedec 制定的cmos集成电路的最大额定范围:
电源电压
vdd~vss
18 ~ -0.5
v(dc)
直流输入电流
iin
士10
ma(dc)
输入电压
vi
vss ≤vi ≤ vdd+0.5
v(dc)
器件功耗
pd
200
mw
工作温度范围
t
-55~125(陶封),-40~85(塑封)
0c
存储温度范围
tstg
-65 ~ 150
0c
输入输出信号规则
所有的cmos电路的输入端不能浮置,最好使用一个上拉或下拉电阻,以保护器件不受损害。
在某些应用场合,输入端要串入电阻,以限制流过保护二极管的电流不大于10ma。
输入脉冲信号的上升和下降时间必须小于15us, 否则必须经施密特电路整形后方可输入cmos开关电路。
避免cmos电路直接驱动双极型晶体管,否则可能导致cmos电路的功耗超过规范值。
cmos缓冲器或大电流驱动器由于其本身的低输出阻抗,必须注意这些电路采用大负载电容(≥500pf)时等效于输出短路的情况。
cmos电路的输出不能并接成线逻
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