39sf020是sst公司最近推出的一种superflash型的存储器芯片，属于sst公司平行闪速存储器(parallel flash memories)系列产品中的多功能型闪速存储器(multi-purpose flash)，采用单一+5v电源供电，可方便地应用于嵌入式系统的电路设计中。

    与同容量的其他类型存储器相比，39sf系列闪速存储器具有明显的优点。39sf020的字节写入速度可达20μs，明显高于e2prom型存储器。而价格又远低于同容量的非易失性静态存储器(nvsram)，芯片读写速度满足绝大多数场合，是一种性价比很高的存储器。

    39sf020适用于需要程序在线写入或大容量、非易失性数据重复存储的场合，其基于super flash技术的cmos电路设计可以在降低功耗的同时显著提高系统的稳定性。

    1 sst39sf020性能特点

    1．1 sst39sf020的主要特性

    (1)按256kb x 8b结构组织。

    (2)单一十5v供电下的读写操作。

    (3)高性能的使用寿命：读写操作可达100 000次，数据保存时间大于100年。

    (4)低使用功耗：芯片选通条件下工作电流为10ma，非选通条件下工作电流为3μa。

    (5)扇区擦除能力：4 kb空间为基本擦除单位。

    (6)读取数据时间：45-70ns。

    (7)地址和数据锁存功能。

    (8)芯片擦除和写入时间：扇区擦除时间为18ms，芯片擦除时间为70ms，字节擦除时间为14μs，芯片整体重新写入时间为2s。

    (9)具有内部擦除或写人操作完毕的状态标志位。

    1．2 sst39sf020内部结构框图

    图1为39sf020内部结构框图，其中a17一a0为地址线，ce#为芯片选通信号，oe#可作为读信号，we#为写信号，dq7～dq0为数据线，可方便地与8位数据总线接口。图2为39sf020的外部管脚封装图。

    2 sst39sf020读写操作和特定指令代码

    sst39sf020闪速存储器的读写时序与一般存储器的读写时序相同，当oe#和ce#信号同时为低电平时，可对芯片进行读操作；当we#和ce#信号同时为低电平时进行写操作。39sf02q通过特定的指令代码可以完成字节、扇区或整体芯片的写入和擦除操作。表1为39sf020对应各种操作时的代码指令表(其中ba为待写入字节的地址，data为字节写人数据，sax为待擦除扇区地址，软件id退出1和2的代码指令等效，xxh为寻址空间范围内的任意地址)。

    3 sst39sf020应用子程序

    sst39sf020在实际应用中需要调用特殊指令代码进行初始化设置，下面分别叙述各相应子程序。

    3．1 字节写入程序

    图3所示为向sst39sf020写入单一字节的程序流程。前3次送人固定指令代码，后面送人实际需要写入数据，等待标志完成位指示，完成写入字节操作(其中data polling为写入完毕的标志位)。

    3．2 等待查询程序

    sst39sf020在字节写入／擦除程序调用中，可以通过图4所示3种等待／查询方式中的任意1种判断写入／擦除操作过程是否完毕(其中tbp为字节写入时间、tsce为芯片擦除时间、tse为扇区擦除时间，dq7和dq6为字节数据的最高位和次高位)。

    3．3 软件标识命令程序

    sst39sf020通过软件标识程序可以查询产品序号以及sst公司的编码，图5所示为相应的程序流程(其中tida为软件查询进入和退出时间，xxh为寻址空间范围内的任意地址)。

    3．4 芯片擦除命令程序

    39sf020可以通过芯片整体擦除(chip-erase)和扇区擦除(sector-erase)程序清除原有存储数据，为写入新数据准备。图6所示为相应的程序流程。

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