对于全球半导体业来说，从来没有一种产品能够象dram那样让人爱恨交加，即使是在产业稳步回暖的今天，dram依然被认为是一个阴晴不定的市场——难以琢磨的价格走向似乎随时都有可能将你送上浪尖，或是卷入波谷。因此，这个领域注定会是“巨人”的竞技场，排名市场前三位的供应商samsung、micron和infineon共占据了市场67%的份额。isuppli 估计2003年dram市场总量将达到167亿美元。

    在intel婉转地放弃对rambus dram的推崇之后，实际上从技术层面讲dram市场的发展已经不存在什么悬念，dram技术正在沿着ddr标准的线路图演进，一种普遍的认识是ddr2器件将从2004年起大举进入市场，并在2005年成为市场的主宰；同时ddr3已经“在路上”，预计其进入市场的时间为2007年。而rambus dram则会在一些高端应用中固守其市场领地。预计2004年各类dram产品的市场份额大致为：ddr占74.5%，ddr2占6.9%，sdram占17%，rdram占1.5%。

    因此未来几年中dram市场的最大悬念不会是来自于技术领域，而应该是与各厂商的商业行为相关，比如其策略联盟、产能扩张、区域市场的重新分割等等。

    针对不同的应用市场，sram产品的技术发展已经表现出了两个很清晰的走向——一是向高性能通信网络所须的高速器件发展，另一个是向低功耗性能演变以适应蓬勃发展的便携式应用的需要。目前sram市场总量约在25亿美元左右，其中手机等移动终端市场对sram的需求约占50%左右，另有7~8亿美元的sram产品为通信市场所消化，因此可以说，目前移动终端与通信领域仍然是sram市场主要的驱动力。

    未来sram市场的增长将是平稳和渐进的。这种特点一方面与其所服务的市场属性有关，更重要的一点是传统的sram技术正在受到其他竞争性的dram技术的冲击——在高速网络方面，fcram和rldram技术正在相互竞争中快速成长；在便携式应用领域诸如cellularram与mobile fcram等psram（伪sram）产品也正在逐渐挤压原先由sram独占的低功耗应用的空间。尽管sram在某些方面还有其难以替代的功能特性，但市场对存储器产品在速度、存储密度、功耗等方面综合性的要求将继续推进那些sram替代技术的发展。这其间各厂商之间利益关系盘根错节，也是悬念丛生的地方。

    未来闪存市场的高速成长是毋庸置疑的，预计整个闪存市场的销售额将从2002年的78.9亿美元上升到2003年的112亿美元，闪存最终将发展成为半导体存储器市场中可与dram比肩的一个产品门类。我们的疑问是，曾经在dram市场发生的市场动荡在多年以后是否也会在闪存市场重演？

    目前在闪存市场排名前5名的公司——samsung、intel、toshiba、amd及富士通——控制着70%的市场。但在笼统的份额背后我们还应该注意nor与nand不同闪存类型之间的发展竞速。intel依然是nor闪存的主力推手，但sansung则认为nor闪存的市场发展速度并不会如预期的那样快，而伴随着消费电子及手机市场的崛起，对用于海量数据存储的nand闪存的需求将超出人们的想象。sansung甚至还在考虑在部分手机应用中用nand+dram的架构取代目前流行的nor+nand+ dram架构，这也让未来的闪存市场增添了不少不确定因素。

    在新一代存储器技术的发展上，我们有多种选择，包括fram、mram、ovonic存储器、pfram，以及pmc（programmable metalization cell）技术。其中fram在投入商用上先行了一步，比mram和ovonic存储器大约早了一至二年。但这并不意味着fram会成为最后的胜利者，从各主要存储器厂商的态度上看，虽然每家在技术的选择上或多或少会有一些倾向性，但有实力的厂商都选择了针对多种技术同时开展研发。从目前的状况来看，投入商用的几种技术在产品的成本和存储密度上与主流存储器产品相比还有很大差距，因此其只是被有限的一些低存储量应用所采用。

    在这些新技术中，谁将脱颖而出？这取决于两个因素：一是技术本身的发展后劲如何，二是这种技术迁移对现有存储器厂商既得利益的影响如何。因此面对这一夹杂着复杂商业利益的技术问题，我们通常只能作一个“事后诸葛”。