力晶半导体将获Renesas快闪记忆体定单
发布时间:2007/9/8 0:00:00 访问次数:351
有消息称，力晶半导体(5346.TW)将获得日本公司Renesas Technology的NAND快闪记忆体代工定单, 而前者则正计划逐步停止生产此类产品。
消息人士指出, Renesas退出NAND快闪记忆体业务的主因是南韩三星电子(Samsung Electronics)及日本东芝(Toshiba)在此市场中的主导地位持续上升。
有消息称，力晶半导体(5346.TW)将获得日本公司Renesas Technology的NAND快闪记忆体代工定单, 而前者则正计划逐步停止生产此类产品。
消息人士指出, Renesas退出NAND快闪记忆体业务的主因是南韩三星电子(Samsung Electronics)及日本东芝(Toshiba)在此市场中的主导地位持续上升。
相关技术资料- 7-4超低功耗角度位置传感器参数技术封装
- 7-4四路输出 DC/DC 降压电源模块产品系列
- 7-4降压变换器和升降压变换器优特点及区别
- 7-4业界首创可在线编程电源模块 mEZ系列
- 7-4可编程门阵列 (FPGA)智能 电源解决方案
- 7-4高效先进封装工艺MPS 电源模块优势设计
- 7-31200 V CoolSiC MOSFET M1H芯片应用详情
- 7-3高带宽内存（HBM）和芯片间互连（ICI）应用探究
- 7-3第七代TPU—Ironwood技术参数设计
- 7-3Neuralink新款“心灵感应”脑机接口N1芯片
- 7-3IR最新功率MOSFET的300V器件系列
- 7-3全新第4代SiC MOSFET技术平台应用解释
- 相关IC型号
公网安备44030402000607
