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英特尔开发铟-锑晶体管,速度高50%节能10倍

发布时间:2007/9/8 0:00:00 访问次数:380


        近日,研究人员在“国际电子器件会议”上表示,英特尔公司在利用硅之外的其它材料研制新型晶

        晶体管方面已经取得了进展。

        数十年来,硅一直是芯片生产中的基本物质。英特尔和其它芯片厂商一直在通过缩减晶体管尺寸提高芯片的性能,使芯片运行得更快,并集成有更多的功能。但是,随着晶体管的尺寸缩减到只有数个原子大小,为了保持芯片产业的发展速度,芯片产业一直在寻求制造晶体管的新方法。英特尔的技术分析师罗布说,有些新方法是在生产过程中引入新材料,从而无需仅仅依靠减小晶体管尺寸来提高芯片性能。

        在近日宣读的一份论文中,英特尔的研究人员解释了二种元素━━铟和锑,是如何提高未来晶体管性能的。今年早些时候,英特尔首次公布了与英国QinetiQ公司联合开发的铟-锑晶体管原型产品。罗布说,英特尔已经减小了这种晶体管的尺寸,使得它更适合大规模制造。

        罗布表示,在元素周期表中,硅元素位于第四族,铟位于第三族,锑位于第十五族。当使用这二种元素生产晶体管时,晶体管的速度将比传统硅晶体管快约50%,能耗却要低上10倍,因为铟-锑晶体管中的电子更容易流动。罗布说,通过用铟-锑化合物取代传统晶体管中的硅通道,英特尔已经制造出了铟-锑晶体管。

        罗布说,英特尔希望在2015-2020年能够生产出采用铟-锑晶体管的芯片。


        近日,研究人员在“国际电子器件会议”上表示,英特尔公司在利用硅之外的其它材料研制新型晶

        晶体管方面已经取得了进展。

        数十年来,硅一直是芯片生产中的基本物质。英特尔和其它芯片厂商一直在通过缩减晶体管尺寸提高芯片的性能,使芯片运行得更快,并集成有更多的功能。但是,随着晶体管的尺寸缩减到只有数个原子大小,为了保持芯片产业的发展速度,芯片产业一直在寻求制造晶体管的新方法。英特尔的技术分析师罗布说,有些新方法是在生产过程中引入新材料,从而无需仅仅依靠减小晶体管尺寸来提高芯片性能。

        在近日宣读的一份论文中,英特尔的研究人员解释了二种元素━━铟和锑,是如何提高未来晶体管性能的。今年早些时候,英特尔首次公布了与英国QinetiQ公司联合开发的铟-锑晶体管原型产品。罗布说,英特尔已经减小了这种晶体管的尺寸,使得它更适合大规模制造。

        罗布表示,在元素周期表中,硅元素位于第四族,铟位于第三族,锑位于第十五族。当使用这二种元素生产晶体管时,晶体管的速度将比传统硅晶体管快约50%,能耗却要低上10倍,因为铟-锑晶体管中的电子更容易流动。罗布说,通过用铟-锑化合物取代传统晶体管中的硅通道,英特尔已经制造出了铟-锑晶体管。

        罗布说,英特尔希望在2015-2020年能够生产出采用铟-锑晶体管的芯片。

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