驱动器通过更低系统成本对驱动能力实时调节将逆变器系统效率提升最大约2%
发布时间:2024/7/23 20:30:43 访问次数:88
20纳米级(nm) NAND芯片，用于安全数字(SD)存储器卡和嵌入式存储解决方案中。
与30纳米级MLC NAND相比，Samsung的20纳米级 MLC NAND提高50%的生产水平。基于20纳米级、8GB和更高密度、SD卡的写入性能比30纳米级 NAND提高30%，器件提供10级额定速度（读取速度为20MB/s，写入速度为10MB/s）。
通过采用尖端工艺、设计和控制器技术，与30纳米级NAND相比，Samsung还获得安全可靠的性能。
新的8 GB DDR4存储器具有超过60 MeV.cm²/mg的单粒子锁定（SEL）免疫功能。而且，它的目标总电离剂量（TID）是100 krad，SEU/SEE测试超过60 MeV.cm²/mg。
这是因为UCC5880-Q1驱动器通过更低的系统成本，以及对驱动能力的实时调节，可以将逆变器系统效率提升最大约2%，从而延长电动汽车行驶里程。
除外太空应用，这款存储器还适用于航空电子等应用的温度要求（-55°C至125°C）。
新的嵌入式存储器融闪存、RAM和EEPROM三大存储器的优点于一身，一颗存储器芯片即可实现很多新功能。今天，新产品发布采用了新品牌Numonyx® Omneo™PCM，其写入速度有望达到现有闪存的300倍，耐写次数达到10倍。
新产品包括支持串行外设接口（SPI）的存储器(Omneo™ P5Q PCM)和支持并行NOR接口的存储器(Omneo™ P8P PCM)。两种接口产品都充利用新的PCM的技术优势，同时兼容工业标准的串行接口和并行接口。
http://jhbdt1.51dzw.com深圳市俊晖半导体有限公司
20纳米级(nm) NAND芯片，用于安全数字(SD)存储器卡和嵌入式存储解决方案中。
与30纳米级MLC NAND相比，Samsung的20纳米级 MLC NAND提高50%的生产水平。基于20纳米级、8GB和更高密度、SD卡的写入性能比30纳米级 NAND提高30%，器件提供10级额定速度（读取速度为20MB/s，写入速度为10MB/s）。
通过采用尖端工艺、设计和控制器技术，与30纳米级NAND相比，Samsung还获得安全可靠的性能。
新的8 GB DDR4存储器具有超过60 MeV.cm²/mg的单粒子锁定（SEL）免疫功能。而且，它的目标总电离剂量（TID）是100 krad，SEU/SEE测试超过60 MeV.cm²/mg。
这是因为UCC5880-Q1驱动器通过更低的系统成本，以及对驱动能力的实时调节，可以将逆变器系统效率提升最大约2%，从而延长电动汽车行驶里程。
除外太空应用，这款存储器还适用于航空电子等应用的温度要求（-55°C至125°C）。
新的嵌入式存储器融闪存、RAM和EEPROM三大存储器的优点于一身，一颗存储器芯片即可实现很多新功能。今天，新产品发布采用了新品牌Numonyx® Omneo™PCM，其写入速度有望达到现有闪存的300倍，耐写次数达到10倍。
新产品包括支持串行外设接口（SPI）的存储器(Omneo™ P5Q PCM)和支持并行NOR接口的存储器(Omneo™ P8P PCM)。两种接口产品都充利用新的PCM的技术优势，同时兼容工业标准的串行接口和并行接口。
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