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并行接口F-RAM存储器通过其化学成分获得出色非易失性存储器特性

发布时间:2024/7/23 20:15:56 访问次数:61


快速DDR4存储器是现代数据密集型卫星系统的关键资源。作为4 GB宇航级DDR4的补充,新的8 GB版本在同样小巧和管脚兼容的外形尺寸之下将存储密度提高了一倍。

除此之外,凭借特定的温度等级和NASA 1级的质量认证,Teledyne e2v可提供最坚固耐用、用途最广泛的宇航级存储器产品。

从外观来看,8GB版本与之前4 GB版本的尺寸(即15mmx20mmx1.92mm)一致,即存储密度加倍但仍保持引脚兼容性。此外,该存储器还支持2400 MT/s的传输速率。

辐射F-RAM存储器的目标应用包括传感器与仪器的数据存储、校准数据的数据记录、适用于数据加密的安全密钥存储,以及启动代码存储等。

与SPI版本一样,并行接口F-RAM存储器通过其化学成分获得了出色的非易失性存储器特性,例如用原子态瞬时切换取代了EEPROM技术中的捕获电荷至程序位。

F-RAM本身不受软错误、磁场或辐射效应影响,且无需软件来管理页面边界。其接近无限的耐用性(1013个写入周期)意味着不需要损耗均衡。

SiC栅极驱动器让牵引逆变器更安全、高效,将车辆的年行驶里程延长多达1600公里”。


如果用户每周充三次电,每次充电都可以提升11公里的行驶里程,一年下来行驶里程可以提升约1600公里。在UCC5880-Q1中,设计了可实时调节栅极驱动强度的功能,可以让用户在系统运行时,在5A到20A的范围内调整驱动电流。

在此基础上,这款器件还符合ISO 26262功能安全设计标准,可以支持设计人员更快速、更安全、更高效地设计牵引逆变器系统。

XC4VFX40-10FF1152I

http://jhbdt1.51dzw.com深圳市俊晖半导体有限公司




快速DDR4存储器是现代数据密集型卫星系统的关键资源。作为4 GB宇航级DDR4的补充,新的8 GB版本在同样小巧和管脚兼容的外形尺寸之下将存储密度提高了一倍。

除此之外,凭借特定的温度等级和NASA 1级的质量认证,Teledyne e2v可提供最坚固耐用、用途最广泛的宇航级存储器产品。

从外观来看,8GB版本与之前4 GB版本的尺寸(即15mmx20mmx1.92mm)一致,即存储密度加倍但仍保持引脚兼容性。此外,该存储器还支持2400 MT/s的传输速率。

辐射F-RAM存储器的目标应用包括传感器与仪器的数据存储、校准数据的数据记录、适用于数据加密的安全密钥存储,以及启动代码存储等。

与SPI版本一样,并行接口F-RAM存储器通过其化学成分获得了出色的非易失性存储器特性,例如用原子态瞬时切换取代了EEPROM技术中的捕获电荷至程序位。

F-RAM本身不受软错误、磁场或辐射效应影响,且无需软件来管理页面边界。其接近无限的耐用性(1013个写入周期)意味着不需要损耗均衡。

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如果用户每周充三次电,每次充电都可以提升11公里的行驶里程,一年下来行驶里程可以提升约1600公里。在UCC5880-Q1中,设计了可实时调节栅极驱动强度的功能,可以让用户在系统运行时,在5A到20A的范围内调整驱动电流。

在此基础上,这款器件还符合ISO 26262功能安全设计标准,可以支持设计人员更快速、更安全、更高效地设计牵引逆变器系统。

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