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低电压晶体管提供低功耗读取功能整个闪存操作时电压低达1.71伏

发布时间:2024/7/23 20:51:38 访问次数:65

这三款引脚兼容的产品均适用于频率在1.8-3.8GHz范围内的Doherty功率放大器。Doherty放大器是一种高效的功率合成技术,特别适用于高PAR(峰值平均功率比)信号的放大。

然而,Doherty放大器在放大过程中存在相位和振幅失配的问题,这限制了其性能的进一步提升。PE46130和PE46140的推出,正是为了解决这一问题,为Doherty放大器提供最大的相位调谐灵活性。

两款产品均能提供高达87.2°的相位调谐范围(步长:2.8°)和7.5dB的衰减范围(步长:0.5dB),确保了信号的精确控制。

同时,它们还具备高线性度(IIP3>60dBm)、低功耗(0.35mA)以及高功率处理能力(P0.1dB=35dBm)和高端到端隔离度(30dB)。

这些优异的性能使得PE46130和PE46140成为优化基于氮化镓的Doherty功率放大器的理想选择。

90纳米薄膜存储器闪存的重要特性,随着TFS技术的推出,能够实现以下优势:

通过革命性的纳米硅技术提供业内领先的比特级可靠性;

快速、低电压的晶体管提供低功耗读取功能,整个闪存操作时电压可低达1.71伏,达到功率敏感型应用日益提高的要求;

闪存接入时间不到30纳秒;

域效率出众,在各种闪存密度上实现高度的存储和外设集成。XC4VFX40-10FF1152I

http://jhbdt1.51dzw.com深圳市俊晖半导体有限公司

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然而,Doherty放大器在放大过程中存在相位和振幅失配的问题,这限制了其性能的进一步提升。PE46130和PE46140的推出,正是为了解决这一问题,为Doherty放大器提供最大的相位调谐灵活性。

两款产品均能提供高达87.2°的相位调谐范围(步长:2.8°)和7.5dB的衰减范围(步长:0.5dB),确保了信号的精确控制。

同时,它们还具备高线性度(IIP3>60dBm)、低功耗(0.35mA)以及高功率处理能力(P0.1dB=35dBm)和高端到端隔离度(30dB)。

这些优异的性能使得PE46130和PE46140成为优化基于氮化镓的Doherty功率放大器的理想选择。

90纳米薄膜存储器闪存的重要特性,随着TFS技术的推出,能够实现以下优势:

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快速、低电压的晶体管提供低功耗读取功能,整个闪存操作时电压可低达1.71伏,达到功率敏感型应用日益提高的要求;

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