为了减小NBTI效应必须降低⒏/s⒑2界面处初始电激活缺陷密度
发布时间:2023/10/11 21:44:25 访问次数:78
可以将水从有源CMOs器件中隔离开,明显改善NBTI效应。为了保证氢钝化悬挂键,同时保持距有源区的距离足够大使水不能扩散到栅区域,氮化薄膜的图案和几何尺寸很关键。
另外的研究表明,在这些氮覆盖的有源PMOs器件中,减小应力和H浓度非常重要。
氘是改善HCI和NBTI效应的有效方法。将氘注入si/s⒑2界面来形成si―D键不是一件小事,如果MOS器件侧墙包括了氮化硅,沉积中有氢的存在,大多数的悬挂键已随着氢饱和,氘难以取代它们,因此需要改变工艺来保证氘可以到达si/s⒑2界面来中和悬挂键,或者在己经存在的⒏H键中用氘取代氢。
优化在栅氧中氮的掺杂浓度可以明显地改善NBTI灵敏度,改善NBTI灵敏度的关键方法是通过使用N20生长氧化层的远程等离子氮化和DPNo氧化层。
在氧化层和硅界面处的氮减少了激活能,更高的氮浓度则具有更低的激活能,并且固定电荷和界面态具有相同的激活能,氮的位置也十分重要,氮和Si/S⒑2界面处的距离越近,NBTI退化越严重。
这种外来噪声常常是随机的,如电源的浪涌脉冲、静电放电、辐射等。这些外来噪声可以通过各种不同的渠道,如输入端、输出端、电源端或地端等进入电路内部的寄生晶闸管结构。电流结构不同,易产生闩锁的通道也不同。
闩锁效应形成的物理过程,VT1/VT3与VT2/VT4结构一旦触发,电源到地之间便会流过较大的电流,并在NPNP寄生晶闸管结构中同时形成正反馈过程,此时寄生晶闸管结构处于导通状态。
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可以将水从有源CMOs器件中隔离开,明显改善NBTI效应。为了保证氢钝化悬挂键,同时保持距有源区的距离足够大使水不能扩散到栅区域,氮化薄膜的图案和几何尺寸很关键。
另外的研究表明,在这些氮覆盖的有源PMOs器件中,减小应力和H浓度非常重要。
氘是改善HCI和NBTI效应的有效方法。将氘注入si/s⒑2界面来形成si―D键不是一件小事,如果MOS器件侧墙包括了氮化硅,沉积中有氢的存在,大多数的悬挂键已随着氢饱和,氘难以取代它们,因此需要改变工艺来保证氘可以到达si/s⒑2界面来中和悬挂键,或者在己经存在的⒏H键中用氘取代氢。
优化在栅氧中氮的掺杂浓度可以明显地改善NBTI灵敏度,改善NBTI灵敏度的关键方法是通过使用N20生长氧化层的远程等离子氮化和DPNo氧化层。
在氧化层和硅界面处的氮减少了激活能,更高的氮浓度则具有更低的激活能,并且固定电荷和界面态具有相同的激活能,氮的位置也十分重要,氮和Si/S⒑2界面处的距离越近,NBTI退化越严重。
这种外来噪声常常是随机的,如电源的浪涌脉冲、静电放电、辐射等。这些外来噪声可以通过各种不同的渠道,如输入端、输出端、电源端或地端等进入电路内部的寄生晶闸管结构。电流结构不同,易产生闩锁的通道也不同。
闩锁效应形成的物理过程,VT1/VT3与VT2/VT4结构一旦触发,电源到地之间便会流过较大的电流,并在NPNP寄生晶闸管结构中同时形成正反馈过程,此时寄生晶闸管结构处于导通状态。
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