碳化硅优势之余，也存在着成本偏高的问题。针对这一问题其实汽车并不像消费类电子那么的在乎成本，它更加在乎的是安全性与可靠性。如果一辆汽车因为某些原因被召回的话，那它的成本损失将是相当大的，同时对这个品牌效应影响也是很严重的。所以，我们是按照整体方案的性能来计算成本的。

虽然SiC材料价格成本偏高，但其对提高效率和续航里程，以及对增强系统可靠性等方面，均有着明显的优势。因此从这个角度来看，采用碳化硅MOSFET还是比较划算的。

把母线电压提高到1000V以上之后，也可以加快电动汽车的充电速度。

由于电动机作惯性运转,产生感应电势,使中间继电器KA2得电,接触器KM2获电动作)制动电阻被接入电枢回路。这时电枢中感应电流的方向与原来的方向相反,从而实现了能耗制动。当转速降低后,电枢产生的感生电动势减小,KA2失电,接触器KM2断电释放,制动回路断开,制动完毕。

硅晶闸管（可控硅）、IGBT（绝缘栅双极型晶体管），以及近几年刚刚显露头角的碳化硅（SiC）系列大功率半导体器件。其中，碳化硅属于第三代半导体材料。

而且实际汽车的使用过程中，超过95%的工况都是在低负载的情况，这种低负载工况下IGBT逆变器和SiC MOSFET逆变器的能效比相差了3～4个百分点。

电路工作情况如下:合上电源开关QS,按下启动按钮SB1,接触器KM1线圈得电,KM1常开触头闭合,电动机电枢接通电源,启动运转。