1700V耐压的碳化硅之后，高度集成的InnoSwitch IC可将整个电源的元件数量减少多达50%，大量节省了电路板空间。现在我们能以更少的元件来做应急电源的设计，这将大幅提高汽车的安全性和系统的可靠性。

与传统的硅MOSFET相比,碳化硅MOSFET具有耐高温、耐腐蚀、导热快、强度高、硬度高、耐磨性好、抗热抗震性好、导热系数大，以及抗氧化性好等优胜功能.碳化硅MOSFET适合于从600V到10kV的广泛电压范围,同时具备单极型器件的卓越开关性能。

虽然都是宽禁带器件，但GaN和SiC的器件特性也有着明显的差异，其中SiC的工作电压要比GaN高得多，因此更适用于高压的应用中，譬如汽车和工业等大功率系统设备中；而GaN的开关频率要更快，因此更适合快充、射频开关等应用领域，例如一些小型化的电源适配器等、射频开关等。

碳化硅器件能以硅器件数倍的速度进行开关。开关频率越高，电感和电容等储能和滤波部件就越容易实现小型化；电能损失降低，发热量就会相应减少，因此可以实现电力转换器的小型化。

并励直流电动机电枢回路串电阻二级启动控制线路,合上电源开关QS,时问继电器KT1、K”得电动作,其常闭触点断开,切断KM2、KM3电路,保证启动时串入电阻R1、R2。

按下启动按钮SB1,接触器KM1得电动作,并励直流电动机电枢反接法正反转控制电路。

若要使电动机反转,先按下停止按钮SB3,使接触器KM1线圈失电,触头断开,电动机电枢绕组因断电而停止运行。

然后再按下启动按钮SB2,使接触器KM2获电,KM2常开触头闭合,改变了电枢电压的方向,实现了电动机的反转。该电路采用了接触器联锁的正反转控制线路。