系统级封装(SIP)技术,通过在单个器件组合多个共同信号处理和调节区块,包括低噪音,全差分ADC驱动器放大器(FDA),稳定基准缓冲器,高速16位15MSPS逐次逼近(SAR) ADC, ADAQ23876降低了终端系统的元件数量.

ADAQ23876采用ADI公司的iPassive®技术还集成具有超匹配和漂移特性的关键无源器件,以最大限度降低温度影响误差源和提供最佳的性能.

主要用在自动测试设备,数据采集,回路中硬件(HiL),电源分析仪,非破坏性测试,质谱法,行波故障定位,医疗图像和仪器.

一般铜耗很小,可略去不计,于是有:

PM≈P2=mUIcos

式中:k―同步发电机的相数;

U、r一发电机相电压和负载相电流有效值;

cosh一负载功率因数。

以隐极电机为例,可推导出电磁功率的物理表达式:

ui=jk・Vsing      

式中:E0一发电机的励磁电势,当励磁电流不变时E0也为常数;

tJ―电网电压,可认为是恒定值;

u―隐极电机的同步电抗;

根据测试结果显示，在芯片尺寸相同且在不牺牲短路耐受时间的前提下，罗姆采用改进的双沟槽结构，使得MOSFET的导通电阻降低了约40％，传导损耗相应降低。

此外，从RDS(on)与VGS的关系图中，我们可以发现第4代SiC MOSFET在栅极电压处于+15V和+18V之间时具有更平坦的梯度，这意味着第4代SiC MOSFET的驱动电压范围可拓展至15V-18V。