商用碳化硅MOSFET，目前产品涵盖SiC SBD、SiC MOSFET和全SiC模组，其中SiC SBD、SiC MOSFET可以裸芯片的形式供货。罗姆在2015年发布了第3代也是第一款商用沟槽结构的SiC MOSFET产品，支持18V驱动。2020年，罗姆又推出了第4代SiC MOSFET。

目前，不仅可供应裸芯片，还可供应分立封装的产品。分立封装的产品已经完成了面向消费电子设备和工业设备应用的产品线开发，后续将逐步开发适用于车载应用的产品。

对比罗姆的第3代SiC MOSFET产品，第4代SiC MOSFET具有导通电阻更低的特点。

PM=P1-(pΩ十Fe+p∫)

电磁功率扣除定子绕组的铜耗扬后,就是向负载输出的有功功率P2,即:

P2=PM-pc

ε-E0与1J之间的相位差角。隐极电机的磁势电势相矢。可见,当发电机的励磁电流不变时,电磁功率大小只取决于ε角的大小,为功率角,PM=r(e)曲线称为同步发电机的功角特性,ε角又称隐极电机的相矢图及功角特性磁势电势相矢图功角特性

因为这一突破性的设计,使8080非常成功,同时为后面处理器兼容性/扩展存储奠定了基础。一款处理器MC6800，MC6800处理器是M6800微机系统的一部分，其中还包括串行和并行接口。

摩托罗拉6800和英特尔8080同一时期设计，功能相似。6800有一个8位双向数据总线，一个可以寻址 64KB内存的16位地址总线。