GaNSense技术的智能GaNFast氮化镓功率芯片。GaNSense技术集成了关键、实时、智能的传感和保护电路，进一步提高了纳微半导体在功率半导体行业领先的可靠性和稳健性，同时增加了纳微氮化镓功率芯片技术的节能和快充优势。

氮化镓（GaN）是下一代半导体材料，氮化镓器件的开关速度比传统的硅器件快20倍，在尺寸和重量减半的情况下，可实现高达3倍的功率和3倍的充电速度。

HSDL-3203符合IrDA 1.4版本低功率串接红外模式在9.6到115.2kbits/s数据速率的指标。

处理器的核ArmR CortexR-M0+正常模式工作高达72MHz,高速模式高达96MHz.器件模拟模块包括有内部基准电压的16位24路SAR ADC,两个高速模拟比较器,每个包含6位DAC和可编程基准输入,一个12位DAC和1.2V与2.1V基准电压(Vref).工作电压1.71 到 3.6 V,工作温度 –40到105 C.

GaNSense技术集成了对系统参数的实时、准确和快速感应，包括电流和温度的感知。

它的封装为5x7.5mm 陶瓷封装。F4500系列的稳定度在-10°C到70°C范围和 -40°C到85°C范围内都是25ppm，50ppm和100ppm。