DDR5内存技术进步可为每个内核提供更高带宽轻薄化的趋势
发布时间:2021/10/31 13:02:48 访问次数:896
美光 Crucial 英睿达 DDR5 台式电脑(PC)内存产品即将上市,该产品的数据传输速度比上一代 DDR4 内存快 50%,可为主流 PC 用户提供发烧友级别的性能。
无论用于商业、学习、创意、互动娱乐还是个人用途,PC 计算体验的决定因素都是性能、灵活性和效率。美光的 DDR5 内存技术进步可为每个内核提供更高带宽,有效内存带宽几乎翻倍,从而为多核 CPU 提供多任务处理和其他要求严苛的 PC 应用所需的数据。
兼容第 12 代英特尔®酷睿™ 处理器,可支持 DDR5 和 DDR5 兼容主板.
制造商: Microchip
产品种类: 模拟比较器
RoHS: 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
通道数量: 2 Channel
输出类型: Push-Pull
响应时间: 4 us
电源电压-最小: 1.6 V
电源电压-最大: 5.5 V
工作电源电流: 1 mA
每个通道的输出电流: 2 mA
Vos - 输入偏置电压 : 7 mV
Ib - 输入偏流: 1 pA
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
系列: MCP6542
封装: Tube
商标: Microchip Technology
CMRR - 共模抑制比: 70 dB
GBP-增益带宽产品: -
高度: 1.25 mm (Min)
Ios - 输入偏置电流 : 1 pA
长度: 4.9 mm
湿度敏感性: Yes
工作电源电压: 5.5 V
产品: Analog Comparators
产品类型: Analog Comparators
PSRR - 电源抑制比: 80 dB
资格: AEC-Q100
参考电压: Yes
关闭: No Shutdown
工厂包装数量: 100
子类别: Amplifier ICs
电源类型: Single
技术: CMOS
类型: Comparator
Vcm - 共模电压: Negative Rail - 0.3 V to Positive Rail + 0.3 V
宽度: 3.9 mm
单位重量: 540 mg
这也导致对于包括射频开关、射频低噪声放大器、射频功率放大器、双工器、射频滤波器在内的射频前端器件的要求越来越高,同时所需的数量和价值也在急剧增加。
随着以智能手机为代表的移动通信终端对于射频元器件数量需求的大幅提升,以及移动设备小型化、轻薄化的趋势,对于元器件小型化也提出了更高的要求。
(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)
美光 Crucial 英睿达 DDR5 台式电脑(PC)内存产品即将上市,该产品的数据传输速度比上一代 DDR4 内存快 50%,可为主流 PC 用户提供发烧友级别的性能。
无论用于商业、学习、创意、互动娱乐还是个人用途,PC 计算体验的决定因素都是性能、灵活性和效率。美光的 DDR5 内存技术进步可为每个内核提供更高带宽,有效内存带宽几乎翻倍,从而为多核 CPU 提供多任务处理和其他要求严苛的 PC 应用所需的数据。
兼容第 12 代英特尔®酷睿™ 处理器,可支持 DDR5 和 DDR5 兼容主板.
制造商: Microchip
产品种类: 模拟比较器
RoHS: 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
通道数量: 2 Channel
输出类型: Push-Pull
响应时间: 4 us
电源电压-最小: 1.6 V
电源电压-最大: 5.5 V
工作电源电流: 1 mA
每个通道的输出电流: 2 mA
Vos - 输入偏置电压 : 7 mV
Ib - 输入偏流: 1 pA
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
系列: MCP6542
封装: Tube
商标: Microchip Technology
CMRR - 共模抑制比: 70 dB
GBP-增益带宽产品: -
高度: 1.25 mm (Min)
Ios - 输入偏置电流 : 1 pA
长度: 4.9 mm
湿度敏感性: Yes
工作电源电压: 5.5 V
产品: Analog Comparators
产品类型: Analog Comparators
PSRR - 电源抑制比: 80 dB
资格: AEC-Q100
参考电压: Yes
关闭: No Shutdown
工厂包装数量: 100
子类别: Amplifier ICs
电源类型: Single
技术: CMOS
类型: Comparator
Vcm - 共模电压: Negative Rail - 0.3 V to Positive Rail + 0.3 V
宽度: 3.9 mm
单位重量: 540 mg
这也导致对于包括射频开关、射频低噪声放大器、射频功率放大器、双工器、射频滤波器在内的射频前端器件的要求越来越高,同时所需的数量和价值也在急剧增加。
随着以智能手机为代表的移动通信终端对于射频元器件数量需求的大幅提升,以及移动设备小型化、轻薄化的趋势,对于元器件小型化也提出了更高的要求。
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