TPS7H4002-SP是抗辐射加固的5.5V 3A同步降压转换器
发布时间:2021/11/6 22:03:04 访问次数:753
工控内存模块多支持-40摄氏度~85摄氏度宽温，然而85℃的耐受温度，已逐渐无法满足所有进阶工业级应用，像是长时间高温曝晒并持续运转的自驾车载系统，便在温度散热上面临严峻考验。
以-40摄氏度~125摄氏度极宽温新品锁定全球Level 2以上自驾车载市场，帮助现代化自驾车辆以及各式严苛应用环境，有效对抗极端的室外高、低温差，并克服车内电子设备高速演算所产生的大量热能，让自动跟车、车道偏离警示等先进车用科技，都能稳定运行并同时兼顾行车安全性。
此外，许多工业计算机已开始实行无风扇设计，虽然整体设备更轻巧，却也加深机体散热难度。
制造商:Monolithic Power Systems (MPS) 产品种类:开关稳压器 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-12 拓扑结构:Buck 输出电压:600 mV to 5.5 V 输出电流:5 A 输出端数量:1 Output 最大输入电压:6.25 V 最小输入电压:2.8 V 静态电流:40 uA 开关频率:2 MHz 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 商标:Monolithic Power Systems (MPS) 输入电压:2.8 V to 6.25 V 工作电源电流:40 uA 产品:Switching Regulators 产品类型:Switching Voltage Regulators 工厂包装数量5000 子类别:PMIC - Power Management ICs 电源电压-最小:2.8 V 类型:Synchronous Step-Down Switcher 单位重量:22 mg
TPS7H4002-SP是抗辐射加固的5.5V 3A同步降压转换器,通过高效和集成了高边和低边MOSFET具有最佳的小型化设计.
通过电流模式控制,降低了元件数量进一步节省了空间,而高开关频率又降低了电感的占位面积.
抗辐射加固高达TID 100 krad(Si),SEL, SEB和SEGR 免疫到LET = 75 MeV-cm2/mg,SET 和SEFI 特征化高达LET = 75 MeV-cm2/mg,峰值效率为96.9% (VO = 2.5 V),集成了50-mΩ和35-mΩ MOSFET,最大输出电流3A.
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
工控内存模块多支持-40摄氏度~85摄氏度宽温，然而85℃的耐受温度，已逐渐无法满足所有进阶工业级应用，像是长时间高温曝晒并持续运转的自驾车载系统，便在温度散热上面临严峻考验。
以-40摄氏度~125摄氏度极宽温新品锁定全球Level 2以上自驾车载市场，帮助现代化自驾车辆以及各式严苛应用环境，有效对抗极端的室外高、低温差，并克服车内电子设备高速演算所产生的大量热能，让自动跟车、车道偏离警示等先进车用科技，都能稳定运行并同时兼顾行车安全性。
此外，许多工业计算机已开始实行无风扇设计，虽然整体设备更轻巧，却也加深机体散热难度。
制造商:Monolithic Power Systems (MPS) 产品种类:开关稳压器 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-12 拓扑结构:Buck 输出电压:600 mV to 5.5 V 输出电流:5 A 输出端数量:1 Output 最大输入电压:6.25 V 最小输入电压:2.8 V 静态电流:40 uA 开关频率:2 MHz 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 商标:Monolithic Power Systems (MPS) 输入电压:2.8 V to 6.25 V 工作电源电流:40 uA 产品:Switching Regulators 产品类型:Switching Voltage Regulators 工厂包装数量5000 子类别:PMIC - Power Management ICs 电源电压-最小:2.8 V 类型:Synchronous Step-Down Switcher 单位重量:22 mg
TPS7H4002-SP是抗辐射加固的5.5V 3A同步降压转换器,通过高效和集成了高边和低边MOSFET具有最佳的小型化设计.
通过电流模式控制,降低了元件数量进一步节省了空间,而高开关频率又降低了电感的占位面积.
抗辐射加固高达TID 100 krad(Si),SEL, SEB和SEGR 免疫到LET = 75 MeV-cm2/mg,SET 和SEFI 特征化高达LET = 75 MeV-cm2/mg,峰值效率为96.9% (VO = 2.5 V),集成了50-mΩ和35-mΩ MOSFET,最大输出电流3A.
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
相关技术资料- 5-8集成SOC 驱动芯片 GD30DRE508 系列
- 5-8ARM Cortex-M7 600MHz 内核GD3
- 5-8存储、MCU 及模拟芯片应用前景分析
- 5-8高倍率磷酸铁锂电池技术发展趋势
- 5-8模块化多电平架构（MMC）应用参数配置
- 5-8构网型变流器核心技术及应用探究
- 5-7储能逆变、变频器、伺服电机及光通信应用场景
- 5-7第二代0.7微米5000万像素CIS GC50E1
- 5-7PACK、储能系统集成、逆变器及储能解读
- 5-7单帧高动态 DAG HDR 技术单芯片高像素CIS架
- 5-7第四代超薄叠片工艺与创新三维集流技术探究
- 5-7行业技术标杆Mr.Big系列600Ah+储能电芯
公网安备44030402000607
