车载引擎控制单元和FA设备的异常检测系统等需要在恶劣环境下进行高速感测的车载和工业设备，开发出具备超强抗EMI性能*1（以下简称“抗干扰性能”）的轨到轨输入输出*2高速CMOS运算放大器*3“BD87581YG-C（单通道产品）”和“BD87582YFVM-C（双通道产品）”。

随着用于电动汽车和ADAS中的汽车电子系统电子化和高密度化日益加速,噪声环境也变得越来越严峻。

通常，在汽车开发中，难以对电路板和系统单体做噪声评估，一般需要组装后再进行评估，但一旦评估结果NG，就需要大规模修改，因此降噪设计一直是一个重大课题。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 40 V

Id-连续漏极电流: 120 A

Rds On-漏源导通电阻: 1.88 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 134 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 158 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Tube

商标: Infineon Technologies

配置: Single

下降时间: 30 ns

高度: 15.65 mm

长度: 10 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 16 ns

系列: OptiMOS-T2

工厂包装数量: 500

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 30 ns

典型接通延迟时间: 27 ns

宽度: 4.4 mm

零件号别名: IPP120N04S402XK SP000764734 IPP120N04S402AKSA1

单位重量: 2 g

由于内置非连续导通模式 (DCM)，在频率返走工作期间谷底同步导通，因此可满足现代能效标准，包括那些要求在轻载下提供高能效的标准。

NCP51561 是隔离型双通道门极驱动器，具有 4.5 A 源电流和 9 A 灌电流峰值能力。

新器件适用于硅功率 MOSFET 和基于 SiC 的 MOSFET 器件的快速开关，提供短且匹配的传播延迟。两个独立的 5 kVRMS (UL1577 级) 电隔离门极驱动器通道可用作两个下桥、两个上桥开关或一个半桥驱动器，具有可编程的死区时间。

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