临界导通模式 (CrM) 图腾柱PFC控制器，是该公司超高密度离线电源方案集的新成员。

在传统的PFC电路中，整流桥二极管在240 W电源中的损耗约4 W，占总损耗的20%左右。相比之下，PFC级的能效通常为97%，LLC电路实现类似的性能。

然而，用 "图腾柱 "配置的开关取代有损耗的二极管，并拉入升压PFC功能，可减少电桥损耗，显著提高整体能效。此外，NCP1680可适用于任何开关类型，无论是超级结硅MOSFET还是碳化硅 (SiC) 或氮化镓 (GaN) 等宽禁带开关。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 40 V

Id-连续漏极电流: 90 A

Rds On-漏源导通电阻: 2.1 mOhms

商标名: OptiMOS

封装: Tube

商标: Infineon Technologies

配置: Single

高度: 15.65 mm

长度: 10 mm

产品类型: MOSFET

系列: OptiMOS-T2

工厂包装数量: 500

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 4.4 mm

零件号别名: IPP90N04S402XK SP000646200 IPP90N04S402AKSA1

单位重量: 2 g

新的NCP1680 CrM图腾柱PFC控制器采用新颖的电流限制架构和线路相位检测，同时结合经验证的控制算法，提供高性价比的图腾柱 PFC方案，而不影响性能。

该 IC 的核心是内部补偿数字环路控制。该创新器件采用含谷底开关的恒定导通时间 CrM 架构。

安森美半导体已发布采用TO-247-4L和D2PAK-7L封装的650V SiC MOSFET，并将继续猛增该产品系列。 此外，安森美半导体提供完整的硅基 650 V SUPERFET® III MOSFET 产品组合。

该高度集成的器件可使电源设计在通用电源 (90 至 265 Vac) 下以高达350 W的建议功率水平工作。

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