将新产品配置在传感器等部件的后段时，利用CMOS元件结构可实现快速且精准的信号放大而完全不受外部噪声的影响，因此在包括以各种异常检测系统为首的广泛应用中，非常有助于减少设计工时并提高系统的可靠性。

新产品已于2021年5月开始暂以月产100万个（样品价格 300日元/件，不含税）的规模投入量产。

例如，在汽车制造商实施的“电子辐射抗扰度测试 ISO 11452-2”中，普通产品的输出电压在整个噪声频段内波动达到±300mV以上，而新产品的输出电压波动仅在±10mV以内（仅为普通产品的1/30）。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 40 V

Id-连续漏极电流: 100 A

Rds On-漏源导通电阻: 3.3 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V

Qg-栅极电荷: 110 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 214 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

商标名: OptiMOS

封装: Tube

商标: Infineon Technologies

配置: Single

下降时间: 17 ns

高度: 15.65 mm

长度: 10 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 16 ns

系列: OptiMOS-T

工厂包装数量: 50

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 46 ns

典型接通延迟时间: 30 ns

宽度: 4.4 mm

零件号别名: SP000261227 IPP1N4S33XK IPP100N04S303AKSA1

单位重量: 2 g

NCP1680采用小型SOIC-16封装,也可作为评估平台的一部分,支持快速开发和调试先进图腾柱PFC设计。

一个使能引脚将同时关断两个输出，且 NCP51561 提供其他重要的保护功能，如用于两个门极驱动器的独立欠压锁定 (UVLO) 和使能功能。

安森美半导体提供阵容广泛的 SiC MOSFET，它们比硅 MOSFET 提供更高能效。

低导通电阻 (RDS(on)) 和小巧的芯片尺寸确保低电容和门极电荷 (Qg)，以在更小的系统尺寸中提供最高的能效，从而提高功率密度。

(素材来源：eepw和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）