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TO-247封装向后兼容性来轻松提高效率帮助设备大幅节省电能

发布时间:2021/9/16 22:25:11 访问次数:473

在自助支付终端等公共设备和消费电子产品以及家用电器内,通过支持手势识别和人体存在自动检测,VL53L5CX可实现免接触安全唤醒系统,并帮助设备大幅节省电能。

在市面上有大量的支持VL53L5CX的开发工具链,开发者可通过好用的评估校准工具快速开发原型,还可以买到把VL53L5CX轻松集成到更大原型系统中的开发板。

此外,P-NUCLEO-53L5A1 评估套件和 X-CUBE-TOF1 软件扩展包让开发者能够利用STM32生态系统开发飞行时间应用。

制造商:STMicroelectronics 产品种类:达林顿晶体管 配置:Single 晶体管极性:PNP 集电极—发射极最大电压 VCEO:100 V 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V 集电极—基极电压 VCBO:100 V 最大直流电集电极电流:8 A 最大集电极截止电流:50 uA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220-3 最大工作温度:+ 150 C 封装:Tube 商标:STMicroelectronics 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 高度:9.15 mm 长度:10.4 mm 产品类型:Darlington Transistors 工厂包装数量1000 子类别:Transistors 宽度:4.6 mm 单位重量:6 g

UnitedSiC SiC FET凭借其在开关效率和导通电阻方面的最新改进,非常适合具有挑战性的新兴应用。

其中包括电动汽车中的牵引驱动器以及车载和非车载充电器,以及可再生能源逆变器、功率因数校正、电信转换器以及所有AC/DC或DC/DC功率转换中单向和双向功率转换的所有阶段。

这些特性可在要求苛刻的应用中实现最大功率输出,同时实现低芯片温升。

成熟的应用也可以从使用这种器件中受益——可以凭借其与Si MOSFET和IGBT栅极驱动器以及成熟的TO-247封装的向后兼容性来轻松提高效率。


(素材来源:eepw和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

在自助支付终端等公共设备和消费电子产品以及家用电器内,通过支持手势识别和人体存在自动检测,VL53L5CX可实现免接触安全唤醒系统,并帮助设备大幅节省电能。

在市面上有大量的支持VL53L5CX的开发工具链,开发者可通过好用的评估校准工具快速开发原型,还可以买到把VL53L5CX轻松集成到更大原型系统中的开发板。

此外,P-NUCLEO-53L5A1 评估套件和 X-CUBE-TOF1 软件扩展包让开发者能够利用STM32生态系统开发飞行时间应用。

制造商:STMicroelectronics 产品种类:达林顿晶体管 配置:Single 晶体管极性:PNP 集电极—发射极最大电压 VCEO:100 V 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V 集电极—基极电压 VCBO:100 V 最大直流电集电极电流:8 A 最大集电极截止电流:50 uA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220-3 最大工作温度:+ 150 C 封装:Tube 商标:STMicroelectronics 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 高度:9.15 mm 长度:10.4 mm 产品类型:Darlington Transistors 工厂包装数量1000 子类别:Transistors 宽度:4.6 mm 单位重量:6 g

UnitedSiC SiC FET凭借其在开关效率和导通电阻方面的最新改进,非常适合具有挑战性的新兴应用。

其中包括电动汽车中的牵引驱动器以及车载和非车载充电器,以及可再生能源逆变器、功率因数校正、电信转换器以及所有AC/DC或DC/DC功率转换中单向和双向功率转换的所有阶段。

这些特性可在要求苛刻的应用中实现最大功率输出,同时实现低芯片温升。

成熟的应用也可以从使用这种器件中受益——可以凭借其与Si MOSFET和IGBT栅极驱动器以及成熟的TO-247封装的向后兼容性来轻松提高效率。


(素材来源:eepw和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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