150W的功率变换应用单片机和0EM板之间的电压完全匹配
发布时间:2021/8/31 19:59:45 访问次数:242
为了更方便的转型到高能效的宽禁带半导体技术，意法半导体发布了MasterGaN3*和 MasterGaN5两款集成功率系统封装，分别面向高达 45W 和 150W的功率变换应用。
连同面向 65W 至 400W 应用的MasterGaN1、MasterGaN2 和MasterGaN4，这两款新产品为设计开关式电源、充电器、适配器、高压功率因数校正 (PFC) 和 DC/DC 变换器的工程师选择合适的氮化镓 (GaN) 器件和驱动解决方案提供了更多的灵活性。
这款IPM 具有出色并且简单易用的控制系统，其中低边发射极的引脚可用于相电流监控。
制造商:Texas Instruments产品种类:开关稳压器RoHS: 安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:WSON-8拓扑结构:Inverting输出电压:- 5 V to - 1.5 V输出电流:250 mA输出端数量:1 Output最大输入电压:5.5 V最小输入电压:2.7 V静态电流:100 uA开关频率:2 MHz最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C系列:封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel输入电压:2.7 V to 5.5 V类型:Low Noise Regulated Switched Capacitor Voltage Inverter商标:Texas Instruments关闭:Shutdown负载调节:4.6 uV/mA湿度敏感性:Yes工作电源电流:370 uA产品类型:Switching Voltage Regulators250子类别:PMIC - Power Management ICs电源电压-最小:2.7 V单位重量:11 mg
在AT89S51型单片机系统中。当对外部数据存储器进行读写操作即执行［email=MOVX@DPTR，A］MOVX@DPTR，A［/email］，A（累加器A中数据送片外数据存储器）.
MOVX A，@DPTR（片外数据存储器中数据送累加器A1指令时，DPTR的低8位地址在锁存信号ALE的下降沿被锁存在地址锁存器中。高8位地址直接送到目标．然后8位数据直接送往目标器件。
电路的功耗低，只需单电源（+5V）供电，片内具有两套电压提升器构成的4倍电压变换器，能产生+10V和-10V电压，这样就使单片机和0EM板之间的电压完全匹配。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
为了更方便的转型到高能效的宽禁带半导体技术，意法半导体发布了MasterGaN3*和 MasterGaN5两款集成功率系统封装，分别面向高达 45W 和 150W的功率变换应用。
连同面向 65W 至 400W 应用的MasterGaN1、MasterGaN2 和MasterGaN4，这两款新产品为设计开关式电源、充电器、适配器、高压功率因数校正 (PFC) 和 DC/DC 变换器的工程师选择合适的氮化镓 (GaN) 器件和驱动解决方案提供了更多的灵活性。
这款IPM 具有出色并且简单易用的控制系统，其中低边发射极的引脚可用于相电流监控。
制造商:Texas Instruments产品种类:开关稳压器RoHS: 安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:WSON-8拓扑结构:Inverting输出电压:- 5 V to - 1.5 V输出电流:250 mA输出端数量:1 Output最大输入电压:5.5 V最小输入电压:2.7 V静态电流:100 uA开关频率:2 MHz最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C系列:封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel输入电压:2.7 V to 5.5 V类型:Low Noise Regulated Switched Capacitor Voltage Inverter商标:Texas Instruments关闭:Shutdown负载调节:4.6 uV/mA湿度敏感性:Yes工作电源电流:370 uA产品类型:Switching Voltage Regulators250子类别:PMIC - Power Management ICs电源电压-最小:2.7 V单位重量:11 mg
在AT89S51型单片机系统中。当对外部数据存储器进行读写操作即执行［email=MOVX@DPTR，A］MOVX@DPTR，A［/email］，A（累加器A中数据送片外数据存储器）.
MOVX A，@DPTR（片外数据存储器中数据送累加器A1指令时，DPTR的低8位地址在锁存信号ALE的下降沿被锁存在地址锁存器中。高8位地址直接送到目标．然后8位数据直接送往目标器件。
电路的功耗低，只需单电源（+5V）供电，片内具有两套电压提升器构成的4倍电压变换器，能产生+10V和-10V电压，这样就使单片机和0EM板之间的电压完全匹配。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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