何利用SEMulator3D研究先进DRAM工艺中存在的AA形状扭曲
发布时间:2021/8/31 0:34:08 访问次数:2602
在DRAM结构中，电容存储单元的充放电过程直接受晶体管所控制。
随着晶体管尺寸缩小接近物理极限，制造变量和微负载效应正逐渐成为限制DRAM性能（和良率）的主要因素。
对于先进的DRAM，晶体管的有源区 (AA) 尺寸和形状则是影响良率和性能的重要因素。
在本研究中，我们将为大家呈现，如何利用SEMulator3D研究先进DRAM工艺中存在的AA形状扭曲和与之相关的微负载效应与制造变量。
按照电路流程安排各个功能电路单元的位置，使布局便于信号流通，并使信号尽可能保持一致的方向。
在高频下工作的电路，要考虑元器件之间的分布参数。一般电路应尽可能使元器件并行排列，这样不但美观，而且装旱容易，易于批量生产。
多层印制电路板中，可设置接地层，接地层设计成网状。地线网格的间距不能太大，因为地线的一个主要作用是提供信号回流路径，若网格的间距过大，会形成较大的信号环路面积。
地线阻抗的大小是由哪些参数决定的，RDC是导线上的直流电阻值，jwL是感抗。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
在DRAM结构中，电容存储单元的充放电过程直接受晶体管所控制。
随着晶体管尺寸缩小接近物理极限，制造变量和微负载效应正逐渐成为限制DRAM性能（和良率）的主要因素。
对于先进的DRAM，晶体管的有源区 (AA) 尺寸和形状则是影响良率和性能的重要因素。
在本研究中，我们将为大家呈现，如何利用SEMulator3D研究先进DRAM工艺中存在的AA形状扭曲和与之相关的微负载效应与制造变量。
按照电路流程安排各个功能电路单元的位置，使布局便于信号流通，并使信号尽可能保持一致的方向。
在高频下工作的电路，要考虑元器件之间的分布参数。一般电路应尽可能使元器件并行排列，这样不但美观，而且装旱容易，易于批量生产。
多层印制电路板中，可设置接地层，接地层设计成网状。地线网格的间距不能太大，因为地线的一个主要作用是提供信号回流路径，若网格的间距过大，会形成较大的信号环路面积。
地线阻抗的大小是由哪些参数决定的，RDC是导线上的直流电阻值，jwL是感抗。
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