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电缆的端口安装浪涌电压保护器实现基于2D迫近函数的图形建模

发布时间:2021/8/31 0:39:55 访问次数:133

在鳍片 (AA) 干法刻蚀工艺中,侧壁会因刻蚀副产物的钝化作用而出现锥形轮廓。

由于A点所处区域需要去除的硅要多于B点所处区域,A区域消耗的反应物更多,产生的副产物也会更多.这样,在鳍片刻蚀后,A区域侧壁的钝化锥度就要超过B区域的侧壁,这也就是AA形状扭曲的原因。

鳍片刻蚀工艺中的AA形状扭曲 (a) 刻蚀前硬掩膜的顶视图;(b) A、B两区域的图形刻蚀对比;(c) 鳍片刻蚀后的顶视图.

SEMulator3D采用创新的伪3D方法,实现基于2D迫近函数的图形建模。

制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS: 技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PQFN-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:100 ARds On-漏源导通电阻:990 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 VVgs th-栅源极阈值电压:1.8 VQg-栅极电荷:155 nC最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 CPd-功率耗散:250 W通道模式:Enhancement封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel配置:Single高度:0.83 mm长度:6 mm晶体管类型:1 N-Channel宽度:5 mm商标:Infineon / IR产品类型:MOSFET4000子类别:MOSFETs单位重量:122.136 mg

浪涌泄放电流流过地线,为了保护设备免受浪涌电压的损害,需要在电缆的端口安装浪涌电压保护器。

静电放电电流当机壳上发生静电放电时,放电电流会流过安全地线,由于静电放电电流具有很高的频率,地线呈现很大的感抗,因此会产生很高的地线电压,造成严重的干扰问题。

当互联设备处在较强的交变电磁场中时,根据电磁感应定律,交变磁场会在这个回路中产生感应电压V=l(dp/dt),l是回路的电感,p是磁通量。在这个电压驱动下,在设备1-互联电缆-设备2-地形成的环路中感应出环路电流.

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

在鳍片 (AA) 干法刻蚀工艺中,侧壁会因刻蚀副产物的钝化作用而出现锥形轮廓。

由于A点所处区域需要去除的硅要多于B点所处区域,A区域消耗的反应物更多,产生的副产物也会更多.这样,在鳍片刻蚀后,A区域侧壁的钝化锥度就要超过B区域的侧壁,这也就是AA形状扭曲的原因。

鳍片刻蚀工艺中的AA形状扭曲 (a) 刻蚀前硬掩膜的顶视图;(b) A、B两区域的图形刻蚀对比;(c) 鳍片刻蚀后的顶视图.

SEMulator3D采用创新的伪3D方法,实现基于2D迫近函数的图形建模。

制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS: 技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PQFN-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:100 ARds On-漏源导通电阻:990 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 VVgs th-栅源极阈值电压:1.8 VQg-栅极电荷:155 nC最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 CPd-功率耗散:250 W通道模式:Enhancement封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel配置:Single高度:0.83 mm长度:6 mm晶体管类型:1 N-Channel宽度:5 mm商标:Infineon / IR产品类型:MOSFET4000子类别:MOSFETs单位重量:122.136 mg

浪涌泄放电流流过地线,为了保护设备免受浪涌电压的损害,需要在电缆的端口安装浪涌电压保护器。

静电放电电流当机壳上发生静电放电时,放电电流会流过安全地线,由于静电放电电流具有很高的频率,地线呈现很大的感抗,因此会产生很高的地线电压,造成严重的干扰问题。

当互联设备处在较强的交变电磁场中时,根据电磁感应定律,交变磁场会在这个回路中产生感应电压V=l(dp/dt),l是回路的电感,p是磁通量。在这个电压驱动下,在设备1-互联电缆-设备2-地形成的环路中感应出环路电流.

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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