浪涌电压全环路DRAM结构的单个器件进行了电气分析
发布时间:2021/8/31 0:44:29 访问次数:199
埋入式字线的DRAM单元中，晶体管通道位于鳍片中部附近，这里的形状扭曲要比鳍片顶部严重。在这种情况下，受侧壁钝化的影响，该通道下方的鳍片CD也要大很多。
为评估AA形状扭曲对器件性能的影响,我们用SEMulator3D建模了0.1、2.5和5度的侧壁裂角以模拟不同程度的AA扭曲,并使用来自全环路DRAM结构的单个器件进行了电气分析。
通过SEMulator3D分配电端口(源极、漏极、栅极和衬底）即可获得电气测量值,之后使用SEMulator3D内置漂移/扩散求解器即可计算不同程度AA扭曲可能导致的电气性能变化。
制造商:Xilinx产品种类:FPGA - 现场可编程门阵列RoHS:产品:Virtex-5系列:XC5VFX130T逻辑元件数量:131072 LE自适应逻辑模块 - ALM:20480 ALM嵌入式内存:10.48 Mbit输入/输出端数量:840 I/O工作电源电压:1 V最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 100 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:FCBGA-1738数据速率:6.5 Gb/s商标:Xilinx分布式RAM:1580 kbit内嵌式块RAM - EBR:10728 kbit最大工作频率:550 MHz湿度敏感性:Yes逻辑数组块数量——LAB:10240 LAB收发器数量:20 Transceiver产品类型:FPGA - Field Programmable Gate Array工厂包装数量:1子类别:Programmable Logic ICs商标名:Virtex
通过这种建模技术，我们可以创建DRAM器件的3D模型并模拟出AA形状扭曲现象。通过SEMulator3D模拟的DRAM 3D结构和平面图、布局设计和图形相关掩膜。
通过对比可以看出，AA扭曲形态是类似的，这证明模型能正确反映实际制造结果。不同鳍片高度的AA剖面图，从中可以看出结构底部的扭曲幅度要远高于器件顶部的扭曲。
当线路上出现浪涌电压时，浪涌抑制器就会起作用，把浪涌能量旁路到大地，浪涌电流（可达几千安培）就会在地线上产生电压，这种电压可以很高，甚至会达到干扰数字电路的程度。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
埋入式字线的DRAM单元中，晶体管通道位于鳍片中部附近，这里的形状扭曲要比鳍片顶部严重。在这种情况下，受侧壁钝化的影响，该通道下方的鳍片CD也要大很多。
为评估AA形状扭曲对器件性能的影响,我们用SEMulator3D建模了0.1、2.5和5度的侧壁裂角以模拟不同程度的AA扭曲,并使用来自全环路DRAM结构的单个器件进行了电气分析。
通过SEMulator3D分配电端口(源极、漏极、栅极和衬底）即可获得电气测量值,之后使用SEMulator3D内置漂移/扩散求解器即可计算不同程度AA扭曲可能导致的电气性能变化。
制造商:Xilinx产品种类:FPGA - 现场可编程门阵列RoHS:产品:Virtex-5系列:XC5VFX130T逻辑元件数量:131072 LE自适应逻辑模块 - ALM:20480 ALM嵌入式内存:10.48 Mbit输入/输出端数量:840 I/O工作电源电压:1 V最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 100 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:FCBGA-1738数据速率:6.5 Gb/s商标:Xilinx分布式RAM:1580 kbit内嵌式块RAM - EBR:10728 kbit最大工作频率:550 MHz湿度敏感性:Yes逻辑数组块数量——LAB:10240 LAB收发器数量:20 Transceiver产品类型:FPGA - Field Programmable Gate Array工厂包装数量:1子类别:Programmable Logic ICs商标名:Virtex
通过这种建模技术，我们可以创建DRAM器件的3D模型并模拟出AA形状扭曲现象。通过SEMulator3D模拟的DRAM 3D结构和平面图、布局设计和图形相关掩膜。
通过对比可以看出，AA扭曲形态是类似的，这证明模型能正确反映实际制造结果。不同鳍片高度的AA剖面图，从中可以看出结构底部的扭曲幅度要远高于器件顶部的扭曲。
当线路上出现浪涌电压时，浪涌抑制器就会起作用，把浪涌能量旁路到大地，浪涌电流（可达几千安培）就会在地线上产生电压，这种电压可以很高，甚至会达到干扰数字电路的程度。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
相关技术资料- 4-19由于克服传统电池寿命限制在VPP模式下为住宅储能用户带来收益
- 4-19嵌入式反射计在提供精确信号同时缩短测试时间并简化测试设置
- 4-19DAC专用集成电路芯片使用DDS提供精准信号最大程度地减少失真
- 4-19超低电容可满足高速接口应用超高要求能有效保证信号完整性
- 4-18在GaN IC上融入单独的二维条形码并可通过标准商用读码器读取
- 4-18数字信号处理器(DSP)相结合提高了动态范围无需微调或额外校准
- 4-18采集数据存储在容量巨大4GB板载内存中以最快速度通过PCIe总线传输
- 4-18初步设计为一个容纳144U HPC/AI浸没服务器40英尺集装箱
- 4-18压力传感器拥有24位输出分辨率具有两个极高分辨率的流量传感器
- 4-18LD的波长随着温度变化而变对LD温度进行控制提高其性能关键所在
- 4-18金丝键合安装于封装内部对光通信用激光二极管进行高度准确温度检测
- 4-18开发板模块在设计上与Adafruit外形尺寸兼容为传感器提供原型创建解决方案
公网安备44030402000607
