随着晶体管尺寸缩小接近物理极限，制造变量和微负载效应正逐渐成为限制DRAM性能（和良率）的主要因素。

而对于先进DRAM,晶体管的有源区 (AA) 尺寸和形状则是影响良率和性能的重要因素。

领先DRAM制造商几乎所有已商业化的DRAM产品都存在AA形状扭曲。除中心线不稳定以外，这种扭曲还体现在切割区域周边的关键尺寸差异

当一个设备的接地线上电压较大时这个电压驱动了地环路电流,它通常由两个原因产生.

由于RDC是ρ（电阻率）、S（横截面积）、L（长度）这三个因素决定的。

ρ材料的电阻率一般导线制作出来就已经固定了，铜的电阻率为1。所以在直流电中影响电阻的阻值就是导线的横截面积和导线的长度。

决定感量的因数主要是导线的长度和导线的直径。因此决定导线的阻抗的因素我们也知道了，所以在电路中各个地方的地阻抗的不一致就是以上的因素所决定的。

这个地线电压的形成是由于作为地的导体上流过了较大的电流，电流在导体阻抗上形成电压。

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