控制电路采用双层架空设计，利用空气隔热层将光耦等温度敏感器件与发热量较大的功率部分隔绝开来，避免功率器件向控制电路的热量传导、累积带来的整体可靠性降低。

该产品取得IEC/EN/ES/CSA 60601-1, IEC/EN/UL/CSA62368-1安规认证, 带有符合低压和ROHS2指令的CE标志。

为了满足轨道交通行业输入对机壳高耐压需求趋势，与前一代产品CN-A110系列相比，CN-B110 系列 DC-DC变换器将输入对机壳耐压指标从上一代产品的2kVAC提升至2.5kVAC。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-263-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 55 V

Id-连续漏极电流: 80 A

Rds On-漏源导通电阻: 6.3 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 250 W

通道模式: Enhancement

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

长度: 10 mm

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 9.25 mm

商标: Infineon Technologies

下降时间: 36 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 37 ns

工厂包装数量: 1000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 61 ns

典型接通延迟时间: 16 ns

零件号别名: SP000218818 IPB80N06S207ATMA1

单位重量: 4 g

对于单一3D轮廓传感器的视野无法满足要求的应用场景，用户可将多个Z-Trak2轮廓仪组合在一起使用。此方法适合同步检验或对象需要接受360°检验的情形。

这类应用的例子包括：大型木质、金属、塑料面板，对称或非对称的各种塑料挤出材料，以及挤出件的非对称性部位。

Z-Trak2使用单一的输入输出电缆和现货网络开关实现这类拓扑结构中多个传感器的同步工作。这种方法在精简了电缆用量的同时，也节约了成本。

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）