多功能新型30 V n沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET---SiSS52DN，提升隔离和非隔离拓扑结构功率密度和能效。

Vishay Siliconix SiSS52DN采用热增强型3.3mmx3.3mmPowerPAK® 1212-8S封装，10V条件下导通电阻仅为0.95mW，比上一代产品低5 %。

4.5V条件下器件导通电阻为1.5mW，而4.5V条件下导通电阻与栅极电荷乘积，即MOSFET开关应用重要优值系数（FOM）为29.8 mW*nC，是市场上优值系数最低的产品之一。

制造商:Analog Devices Inc. 产品种类:RS-485接口IC 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 系列: 功能:Transceiver 数据速率:10 Mb/s 激励器数量:1 Driver 接收机数量:1 Receiver 双工:Half Duplex 电源电压-最大:5.25 V 电源电压-最小:4.75 V 工作电源电流:1.8 mA 最小工作温度:0 C 最大工作温度:+ 70 C 封装:Tube 输入电压:5 V 产品:RS-485 Transceivers 类型:Low Power 商标:Analog Devices 关闭:Shutdown 工作电源电压:5 V 产品类型:RS-485 Interface IC 支持协议:RS-485 50 子类别:Interface ICs 单位重量:1 g

应用示例

适用于48V电源系统的“BD9G500EFJ-LA”

需要48V级电源输入的5G通信基站的功率放大器、充电桩、服务器等

需要60V/48V级电源输入的电动自行车、电动工具等

浪涌电压较大的电机应用（吸尘器和洗衣机等白色家电）

适用于24V电源系统的“BD9F500QUZ”

需要24V级电源输入的包括PLC和逆变器在内的各种FA设备、监视摄像头等

用于各种工业设备中的FPGA和SoC等低电压工作控制系统的电源

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）