NCD57252双通道IGBT/MOSFET门极驱动器提供5kV电隔离
发布时间:2021/8/2 0:28:25 访问次数:760
NXH010P120MNF配置为2-PACK半桥架构，是采用F1封装的10 mohm器件，而NXH006P120MNF2是采用F2封装的6 mohm器件。这些封装采用压接式引脚，是工业应用的理想选择，且嵌入的一个负温系数 (NTC) 热敏电阻有助于温度监测。
新的SiC MOSFET模块是安森美半导体电动车充电生态系统的一部分，被设计为与NCD5700x器件等驱动器方案一起使用。
最近推出的NCD57252双通道隔离型IGBT/MOSFET门极驱动器提供5 kV的电隔离，可配置为双下桥、双上桥或半桥工作。
产品种类: RS-485接口IC
RoHS: 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
系列: SN65HVD74
工作电源电流: 1.1 mA
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
ESD 保护: 12 kV
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
商标: Texas Instruments
产品类型: RS-485 Interface IC
工厂包装数量: 2500
子类别: Interface ICs
单位重量: 109.500 mg
它的较大裸芯片与沟槽式MOSFET相比，降低了热阻，从而在相同的工作温度下降低了裸芯片温度。
16位PI4IOE5V6416Q及 34 位PI4IOE5V6534Q双向电压电位转换通用 I/O (GPIO) 扩充器。
这些符合汽车规格与取得 AEC-Q100 Grade 2 认证的双电压轨装置，代表用于汽车业的首创之举，透过 I2C 接口为新世代低电压微处理器及微控制器，提供更强大的可编程 I/O。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
NXH010P120MNF配置为2-PACK半桥架构，是采用F1封装的10 mohm器件，而NXH006P120MNF2是采用F2封装的6 mohm器件。这些封装采用压接式引脚，是工业应用的理想选择，且嵌入的一个负温系数 (NTC) 热敏电阻有助于温度监测。
新的SiC MOSFET模块是安森美半导体电动车充电生态系统的一部分，被设计为与NCD5700x器件等驱动器方案一起使用。
最近推出的NCD57252双通道隔离型IGBT/MOSFET门极驱动器提供5 kV的电隔离，可配置为双下桥、双上桥或半桥工作。
产品种类: RS-485接口IC
RoHS: 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
系列: SN65HVD74
工作电源电流: 1.1 mA
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
ESD 保护: 12 kV
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
商标: Texas Instruments
产品类型: RS-485 Interface IC
工厂包装数量: 2500
子类别: Interface ICs
单位重量: 109.500 mg
它的较大裸芯片与沟槽式MOSFET相比，降低了热阻，从而在相同的工作温度下降低了裸芯片温度。
16位PI4IOE5V6416Q及 34 位PI4IOE5V6534Q双向电压电位转换通用 I/O (GPIO) 扩充器。
这些符合汽车规格与取得 AEC-Q100 Grade 2 认证的双电压轨装置，代表用于汽车业的首创之举，透过 I2C 接口为新世代低电压微处理器及微控制器，提供更强大的可编程 I/O。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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