TSV7722的精度参数和温度稳定性基站高功率电源模块
发布时间:2021/5/2 20:42:20 访问次数:450
新能源汽车续航里程提升和快速充电的要求，充电桩的功率已高达120KW到180KW。
同样，5G领域也很讲求功率的高效性，5G基站单站满载功率近3700W，约为4G基站的2.5~3.5倍，电费亦会随之攀升至3G、4G的4~5倍之大。
面对这些用电大户，耗电问题将是5G时代运营商无法回避的问题。降低能耗，提升电源效率，是选择功率半导体器件时的主要考虑因素。
功率MOSFET中TO-247封装是充电机、充电桩和基站高功率电源模块应用中最通用的封装形式。
制造商Micron Technology Inc. 系列- 包装托盘 零件状态停產 存储器类型易失 存储器格式DRAM 技术SDRAM - DDR2 存储容量512Mb（32M x 16） 存储器接口并联 写周期时间 - 字，页15ns 电压 - 供电1.7V ~ 1.9V 工作温度-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型表面贴装型 封装/外壳84-TFBGA 供应商器件封装84-FBGA（8x12.5） 时钟频率400MHz 访问时间400ps
TSV7722的工作电压范围为1.8V-5.5V，可以使用与微控制器等低压CMOS器件相同的电源，甚至可以用严重低电的电池供电。
TSV7722的精度参数和温度稳定性可进一步简化电路设计，无需使用精密电阻或在组装后调整，即可确保精准度非常出色。
TSV7722能够为功率变换系统提供准确、响应快速的电流测量功能，在智能汽车系统、太阳能电池板、电信基础设施和计算机服务器等应用中提高能效。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
新能源汽车续航里程提升和快速充电的要求，充电桩的功率已高达120KW到180KW。
同样，5G领域也很讲求功率的高效性，5G基站单站满载功率近3700W，约为4G基站的2.5~3.5倍，电费亦会随之攀升至3G、4G的4~5倍之大。
面对这些用电大户，耗电问题将是5G时代运营商无法回避的问题。降低能耗，提升电源效率，是选择功率半导体器件时的主要考虑因素。
功率MOSFET中TO-247封装是充电机、充电桩和基站高功率电源模块应用中最通用的封装形式。
制造商Micron Technology Inc. 系列- 包装托盘 零件状态停產 存储器类型易失 存储器格式DRAM 技术SDRAM - DDR2 存储容量512Mb（32M x 16） 存储器接口并联 写周期时间 - 字，页15ns 电压 - 供电1.7V ~ 1.9V 工作温度-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型表面贴装型 封装/外壳84-TFBGA 供应商器件封装84-FBGA（8x12.5） 时钟频率400MHz 访问时间400ps
TSV7722的工作电压范围为1.8V-5.5V，可以使用与微控制器等低压CMOS器件相同的电源，甚至可以用严重低电的电池供电。
TSV7722的精度参数和温度稳定性可进一步简化电路设计，无需使用精密电阻或在组装后调整，即可确保精准度非常出色。
TSV7722能够为功率变换系统提供准确、响应快速的电流测量功能，在智能汽车系统、太阳能电池板、电信基础设施和计算机服务器等应用中提高能效。
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