由于可以抑制电路板的布线长度，因此可以通过减小布线电阻和寄生电感来实现应用的高性能化。

正向电压VF（@ IF = 10A）低至1.5V，并且对开关时功率损耗产生影响的恢复时间仅为10ns（@ VR = 400V），具有高性能二极管特性。

这与硅快速恢复二极管相比，可以实现更快，更高效的工作。

NJDCD010A065AA3PS具有世界上最小的尺寸，低损耗，高速开关和低噪音的特点，有助于进一步提高各种电源电路和电机驱动电路的高性能、高效率化，小型化和轻量化。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TSDSON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 40 V

Id-连续漏极电流: 114 A

Rds On-漏源导通电阻: 2.7 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 45 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 63 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 1.1 mm

长度: 3.3 mm

系列: OptiMOS 5

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 3.3 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 50 S

下降时间: 4 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 4 ns

工厂包装数量: 5000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 37 ns

典型接通延迟时间: 5 ns

零件号别名: SP001067016 BSZ028N04LSATMA1

单位重量: 36.670 mg

SM2708 设计套件现已上市，其固件具有领先业界的绝佳性能，其中包括：

高性能 PCIe Gen3 x2 通道, NVMe 1.3 规格

支持双通道/8CE

支持最新3D NAND 闪存

支持 ONFI 4.1/3.0, Toggle 3.0/2.0, 最高达每秒 1,200 MT

NANDXtend® ECC 技术: 高性能 LDPC 纠错码（ECC）引擎和 RAID 功能

小于1.5mW的超低功耗

(素材来源：eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）