ASB75系列具有基板冷却功能，因此能够在密封金属外壳中使用被动冷壁冷却将热量传递到设备外部。还可选择预装或单独提供散热片，以允许设计者在首选的情况下使用传统对流或强制空气冷却。

高达90%的效率水平可最大限度地减少不必要的热量产生，并在一个仅为2.28英寸x 2.40英寸x 0.67英寸（57.9毫米x 61.0毫米x 17.0毫米）的工业标准半砖封装内实现20W/in3的出色功率密度。

ASB75系列的空载电流损耗功率小于150mW，大大减少了终端设备的备用电源需求，使其能够满足具有挑战性的现代效率标准。

制造商:STMicroelectronics 产品种类:NOR闪存 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SO-8 系列: 存储容量:32 Mbit 电源电压-最小:2.7 V 电源电压-最大:3.6 V 有源读取电流（最大值）:8 mA 接口类型:SPI 最大时钟频率:50 MHz 组织:4 M x 8 数据总线宽度:8 bit 定时类型:Synchronous 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 封装:Cut Tape 封装:Reel 存储类型:NOR 速度:50 MHz 结构:Sector 商标:STMicroelectronics 电源电流—最大值:8 mA 湿度敏感性:Yes 产品类型:NOR Flash 1500 子类别:Memory & Data Storage 单位重量:506.600mg

福建芯鸿科技有限公司http://xhkjgs.51dzw.com

ROHM一直在大力推动业内先进的SiC元器件和各种具有优势的硅元器件的开发与量产，以及在中等耐压范围具有出色的高频工作性能的GaN器件的开发。

ROHM就现有GaN器件长期存在的课题开发出可以提高栅极-源极间额定电压的技术，能够为各种应用提供更广泛的电源解决方案。

与硅器件相比，GaN器件具有更低的导通电阻值和更优异的高速开关性能，因而在基站和数据中心等领域作为有助于降低各种开关电源的功耗并实现小型化的器件被寄予厚望。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）