为了使MOSFET的驱动环路足够小，会将驱动器的GND引脚与MOSFET的源极连接在一起，而控制芯片的GND与真正的地平面在一起，这样驱动器的GND和控制芯片GND之间就会存在一个偏置电压，因此控制芯片输出低电平时，相对于驱动器的输入端，则有一个负向的偏置电压。

支持在标准的 48 厘米机架中安装多个仪器，实现功能整合。

新的STM32U5系列应用高能效的Arm Cortex-M33内核，集成意法半导体专有的创新节能技术和片上IP，在提升系统性能的同时极大降低了系统功耗。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TDSON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 100 A

Rds On-漏源导通电阻: 2.2 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V

Qg-栅极电荷: 35 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 48 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 1.27 mm

长度: 5.9 mm

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 5.15 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 55 S

下降时间: 3.6 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 5.2 ns

工厂包装数量: 5000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 21 ns

典型接通延迟时间: 4.2 ns

零件号别名: BSC92NSXT SP000800246 BSC0902NSATMA1

单位重量: 118.180 mg

新款 Keysight i7090 具有以下重要优势：

配备 20 个并行内核，可提供灵活的可扩展性和配置方式，能够同时对多个被测器件执行测试。

系统体积小，仅宽 600 毫米，为您节省宝贵的测试空间和测试周期。

支持大规模到超大规模电路板检测，可以减少系统投资，改善电路板测试时间。

不上电和无矢量测试技术（VTEP）带来更快的测试速度、更低的夹具成本和更高的故障覆盖率。

集成烧录功能提供了系统内建烧录能力，允许用户使用 160 个通道实施并行测试，显着提高测试系统吞吐量。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）