DL950是DL850和DL850V示波记录仪系列（2010年发布）的升级产品，提高了功能性和可操作性。

两个新的输入模块：720212（能够以200MS/s的采样速度读取数据）和720256（能够以10MS/s的采样速度从四个输入通道读取数据）。

闪存采集功能，用于在嵌入式非易失性存储器中存储高采样率数据。

示波记录仪系列（包含便携式机型DL350和系统专用机型SL1000）中的高端机型，DL950将有助于提高汽车、机电一体化和电子行业新产品开发的效率。

分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

包装

卷带（TR）

剪切带（CT）

Digi-Reel®

零件状态

停產

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

9.5A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

2.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

9 毫欧 @ 13.5A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.4V @ 250μA

Vgs（最大值）

±12V

FET 功能

功率耗散（最大值）

1.5W（Ta）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

8-SO

封装/外壳

8-SOIC（0.154""，3.90mm 宽）

漏源电压（Vdss）

20V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

60nC @ 4.5V

基本产品编号

SI4466

每秒30帧的速度和70° x 55°的视场角，让第二代微镜继续成为3D扫描和检测应用的标杆。

与英特尔长期的微镜供货关系表明，我们始终在不断地研发MEMS产品，利用我们长期领先的市场地位，满足客户严格的技术和供货要求。

通过意法半导体MEMS的扫描功能，L515无需插值像素就能提供高分辨率的深度图和可控视场角，通过50nS的快速曝光时间可实现接近零像素模糊。

Intel® RealSense™ 技术已用于开发机器人、物流、扫描产品和解决方案以及其他的计算机视觉应用。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）