全新的功率GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，适用于2 kW至10 kW的单相AC/DC和DC/DC工业开关模式电源(SMPS)，特别是必须满足80 PLUS®钛金级效率认证的服务器电源和高效率要求的电信电源。

该器件也非常适合相同功率范围内的太阳能逆变器和伺服驱动器。

全新650V H2功率GaN FET采用TO-247封装，对于给定RDS(on)值，芯片尺寸缩小36%，具有更好的稳定性和效率。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TDSON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 39 A

Rds On-漏源导通电阻: 10 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V

Qg-栅极电荷: 20 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 28 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 1.27 mm

长度: 5.9 mm

系列: OptiMOS 3M

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 5.15 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 25 S

下降时间: 5 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 4.4 ns

工厂包装数量: 5000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 7 ns

典型接通延迟时间: 7.9 ns

零件号别名: BSC120N03MS G SP000311516

单位重量: 605 mg

接收器具有极好的灵敏度,允许RF输入时的输入信号高达0dBm.

器件集成了IF滤波器,仅有几个外接元件,具有低工作电流(9mA)和降功耗电流(10nA),非常适合于低成本和功耗敏感的应用.

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）