MasterGaN4*功率封装集成了两个对称的225mΩ RDS(on)、650V氮化镓(GaN)功率晶体管，以及优化的栅极驱动器和电路保护功能，可以简化高达200W的高能效电源变换应用的设计。

作为意法半导体MasterGaN系列的最新产品，MasterGaN4解决了复杂的栅极控制和电路布局难题，简化了宽带隙GaN功率半导体的应用设计。

MasterGaN4的输入容许电压为3.3V-15V，可以直接连接到控制器，例如，霍尔效应传感器或微控制器、DSP处理器、FPGA可编程器件等CMOS芯片。

制造商:    Infineon    

产品种类:    MOSFET    

RoHS:    详细信息  

技术:    Si    

安装风格:    SMD/SMT    

封装 / 箱体:    TDSON-8    

晶体管极性:    N-Channel    

通道数量:    1 Channel    

Vds-漏源极击穿电压:    200 V    

Id-连续漏极电流:    36 A    

Rds On-漏源导通电阻:    27 mOhms    

Vgs - 栅极-源极电压:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-栅源极阈值电压:    2 V    

Qg-栅极电荷:    22 nC    

最小工作温度:    - 55 C    

最大工作温度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    125 W    

通道模式:    Enhancement    

封装:    Cut Tape    

封装:    MouseReel    

封装:    Reel    

配置:   Single  

高度:   1.27 mm  

长度:   5.9 mm  

晶体管类型:   1 N-Channel  

类型:   OptiMOS 3 Power Transistor  

宽度:   5.15 mm  

商标:   Infineon Technologies  

正向跨导 - 最小值:   29 S  

下降时间:   4 ns  

产品类型:   MOSFET  

上升时间:   9 ns  

工厂包装数量:   5000  

子类别:   MOSFETs  

典型关闭延迟时间:   22 ns  

典型接通延迟时间:   14 ns  

零件号别名:  SP000676410 BSC32N2NS3GXT BSC320N20NS3GATMA1  

单位重量:  100 mg

FLIR C3-X红外热像仪是一款3合1的工具，兼具红外热像仪、数码相机和手电筒的功能。128×96（12288像素）分辨率的热像仪拥有-20至300°C（-4至572°F）的较大温度范围，这是对原FLIR C2的一项重大升级。

它虽然是FLIR的入门级C系列热像仪，但依旧具备强大的功能，例如FLIR Ignite和MSX，以及专业报告功能，可以通过FLIR Thermal Studio对问题和维修进行图像归档。

FLIR C5的功能与C3-X很类似，但是包含了更强大的169 x 120（19200像素）分辨率的热像仪。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）