CN-B110系列新产品输入针脚到接地安装孔之间的距离从上一代产品的2.9mm提升至11.8mm。相比老产品提升约3倍的安全距离为客户应用留足裕量，方便客户满足更高海拔或耐压需求。

CN-B110系列具备高精度主动均流功能，可支持11台模块电源并联输出。

当CN-B110系列工作在均流状态下，可通过IOG引脚（可选）实现各台电源运行状态独立实时侦测。高精度均流特色可以协助客户将输出功率均匀分配至各台DC-DC上，通过外加Oring FET实现冗余并联来满足整体系统高可靠性要求。

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-252-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 40 V

Id-连续漏极电流: 90 A

Rds On-漏源导通电阻: 3.6 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V

Qg-栅极电荷: 59 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 94 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 2.3 mm

长度: 6.5 mm

系列: OptiMOS 3

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 6.22 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 85 S

下降时间: 6 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 5.4 ns

工厂包装数量: 2500

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 37 ns

典型接通延迟时间: 9.3 ns

零件号别名: IPD36N4LGXT SP000387945 IPD036N04LGBTMA1

单位重量: 4 g

输入与输出隔离为4kVac(2xMoPP), 输入与地隔离为2kVac (1xMoPP) ,输出与地隔离为1.5kVac(1xMoPP) , 适用于B等级与BF等级医疗设备。

对地漏电流小于200uA, 接触漏电流小于50μA,高达5,000m工作海拔。

该产品取得IEC/EN/UL/CSA 60601-1与IEC/EN/UL/CSA 62368-1(申请中)安规认证, 带有符合低压、EMC和ROHS2指令的CE标志。

CN-B110系列采用成熟可靠的固定频率软开关拓扑结构，其具备高效率、高可靠性、长寿命和低噪声特色。CN-B110系列具备极低的空载损耗和轻载条件下的高效率。

更换万用表测量选择开关至合适挡位，弄清楚要测的电压性质是交流电，将测量选择开关转到对应的交流电压最高挡位。

选择合适量程。根据待测电路中电源电压大小估计一下被测交流电压的大小选择量程。若不清楚电压大小，应先用最高电压挡试触测量，后逐渐换用低电压挡直到找到合适的量程为止。

电压挡合适量程的标准是指针尽量指在刻度盘的满偏刻度的2/3以上位置（注意∶与电阻挡合适倍率标准有所不同）。

测量方法。万用表测电压时应使万用表与被测电路相并联，红黑表笔分别接测电压两端（交流电压无正负之分，故红表笔可随意接）。