第二代非易失性静态RAM（nvSRAM）。

新一代器件已通过QML-Q和高可靠性工业规格的认证，支持苛刻环境下的非易失性代码存储和数据记录应用，包括航天和工业应用。

256 Kb STK14C88C和1 Mb STK14CA8C nvSRAM采用32引脚300mil双列直插式陶瓷封装，符合MIL-PRF-38535 QML-Q规格（-55°C至125°C）和英飞凌的工业标准（-40 °C至85°C）。

在正常工作条件下，nvSRAM的作用类似于传统的异步SRAM。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: PG-TSDSON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 80 V

Id-连续漏极电流: 23 A

Rds On-漏源导通电阻: 34 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 6.8 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 32 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 1.1 mm

长度: 3.3 mm

系列: OptiMOS 3

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 3.3 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 8 S

下降时间: 2 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 3 ns

工厂包装数量: 5000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 11 ns

典型接通延迟时间: 8 ns

零件号别名: BSZ340N08NS3 G SP000443634

单位重量: 200 mg

整流器采用TO-220AC和TO-247AD封装，X型为Hyperfast超高速恢复整流器，H型为Ultrafast超快恢复整流器。

X型整流器的优点是QRR低，H型整流器的优点是正向压降低。器件符合RoHS标准，无卤素，工作结温达到+175 °C。

健康监测和运动分析是以智能手表和耳戴设备为中心的可穿戴设备市场快速增长的驱动力--2020年第二季度全球出货量同比增长14.1%，达到8616万台，而在日本，出货量为1406万台，同比增长8.1%。

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