5 V和3 V版本均支持用于航天、通信和导航系统以及工业高炉和铁路控制系统的引导代码、数据记录和校准数据存储。英飞凌还提供晶圆销售，以支持封装系统。

新一代nvSRAM扩展了英飞凌在电荷阱型存储器领域的领导地位。

我们nvSRAM系列中新增的这些符合QML-Q规范的高可靠性工业用器件证明了我们致力于为需要高性能、高可靠性存储器的恶劣工作环境提供解决方案。

英飞凌的nvSRAM技术将高性能SRAM与一流的SONOS非易失性技术相结合。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TSDSON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 80 V

Id-连续漏极电流: 40 A

Rds On-漏源导通电阻: 7.4 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.7 V

Qg-栅极电荷: 14.1 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 69 W

通道模式: Enhancement

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

晶体管类型: 1 N-Channel

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 26 S

下降时间: 5.8 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 4.8 ns

工厂包装数量: 5000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 24.6 ns

典型接通延迟时间: 6.1 ns

零件号别名: BSZ0602LS SP001589450

数字钥匙是可以使用智能手机打开车门、锁车门、启动汽车的新一代车钥匙。

利用应用程序将数字钥匙借给他人，还可以仅允许控制打开和关闭后备箱等特定功能。无需随身携带钥匙，不必担心遗失车钥匙，智能手机位于车内才可行驶，因此车辆被盗的危险较小。

共享汽车、租车等汽车共享产业不断发展，对数字车钥匙模块的需求逐年增加。

但现有数字车钥匙模块识别智能手机位置的准确性较低，且存在通信黑客等安全性能方面的担忧，因此难以应用。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）