功率MOS管安装散热器过热保护开关将自动关闭电源
发布时间:2021/4/3 14:46:01 访问次数:955
当温度上升到一定值时,过热保护开关将自动关闭电源,或强行关闭调制脉冲输出以停止高电平。
为了抑制电源适配器的温度升高,除了选择漏电流小且存储时间短的功率MOS管外,还需要为功率MOS管安装散热器。
MOS管装有散热器后,电源适配器的稳定性将大大提高,损耗率将大大降低。
电子开关过热保护措施的功能是切断电源适配器的交流输入线,或强行关闭调制脉冲输出,并在容易发热的组件温度升高之前停止高频振荡。电源适配器或电源柜超过了指定的极限值。
制造商:Micron Technology 产品种类:NOR闪存 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 系列: 存储容量:16 Mbit 电源电压-最小:2.7 V 电源电压-最大:3.6 V 有源读取电流(最大值):20 mA 接口类型:Parallel 组织:1 M x 16 数据总线宽度:16 bit 定时类型:Asynchronous 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tray 存储类型:NOR 速度:70 ns 类型:Boot Block 商标:Micron 电源电流—最大值:20 mA 产品类型:NOR Flash 标准:Common Flash Interface (CFI) 576 子类别:Memory & Data Storage
800V H系列可控硅,其在最大额定输出电流时最高结温达到150°C,因此可以将交流负载驱动器的散热器尺寸缩减多达50%,开发紧凑尺寸与高可靠性兼备的交流驱动器。
新的800V H系列可控硅适用于工业制造设备、个人护理产品、智能家居产品和智能建筑系统,利用意法半导体最新的Snubberless™高温技术实现了出色的耐用性。
低导通电压(VTM)确保开关具有较高的工作能效,并最大程度地降低器件本身的自发热量,具有很低的漏电流,并能够长时间保持低漏电流,从而降低了待机电能损耗。
当温度上升到一定值时,过热保护开关将自动关闭电源,或强行关闭调制脉冲输出以停止高电平。
为了抑制电源适配器的温度升高,除了选择漏电流小且存储时间短的功率MOS管外,还需要为功率MOS管安装散热器。
MOS管装有散热器后,电源适配器的稳定性将大大提高,损耗率将大大降低。
电子开关过热保护措施的功能是切断电源适配器的交流输入线,或强行关闭调制脉冲输出,并在容易发热的组件温度升高之前停止高频振荡。电源适配器或电源柜超过了指定的极限值。
制造商:Micron Technology 产品种类:NOR闪存 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 系列: 存储容量:16 Mbit 电源电压-最小:2.7 V 电源电压-最大:3.6 V 有源读取电流(最大值):20 mA 接口类型:Parallel 组织:1 M x 16 数据总线宽度:16 bit 定时类型:Asynchronous 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tray 存储类型:NOR 速度:70 ns 类型:Boot Block 商标:Micron 电源电流—最大值:20 mA 产品类型:NOR Flash 标准:Common Flash Interface (CFI) 576 子类别:Memory & Data Storage
800V H系列可控硅,其在最大额定输出电流时最高结温达到150°C,因此可以将交流负载驱动器的散热器尺寸缩减多达50%,开发紧凑尺寸与高可靠性兼备的交流驱动器。
新的800V H系列可控硅适用于工业制造设备、个人护理产品、智能家居产品和智能建筑系统,利用意法半导体最新的Snubberless™高温技术实现了出色的耐用性。
低导通电压(VTM)确保开关具有较高的工作能效,并最大程度地降低器件本身的自发热量,具有很低的漏电流,并能够长时间保持低漏电流,从而降低了待机电能损耗。