SP6LI超低电感SiC MOSFET电源模块的功率转换应用
发布时间:2021/3/12 12:46:47 访问次数:171
Microchip的加速碳化硅（SiC）开发工具包包括快速优化Microchip SP6LI 低电感SiC模块和系统系列性能所需的硬件和软件元素。
该新工具使设计人员可以利用AgileSwitch®智能配置工具（ICT）和设备编程器，通过软件升级来调整系统性能，无需焊接。
Microchip的SP6LI 超低电感SiC MOSFET电源模块在80°C的外壳温度下具有700V，538A至1200V，394A至754A的相脚拓扑。
核心处理器C28x内核规格32-位速度90MHz连接能力CANbus，I2C，McBSP，SCI，SPI，UART/USART外设欠压检测/复位，DMA，POR，PWM，WDTI/O 数54程序存储容量256KB（128K x 16）程序存储器类型闪存EEPROM 容量-RAM 大小50K x 16电压 - 供电 (Vcc/Vdd)1.71V ~ 1.995V数据转换器A/D 16x12b振荡器类型内部工作温度-40°C ~ 105°C（TA）安装类型表面贴装型封装/外壳100-LQFP供应商器件封装100-LQFP（14x14）
这些传感器的集成导体的电阻损耗特别低：SOIC-8为0.9mΩ，SOIC-16则为0.75mΩ。根据差分测量原理，不需要对杂散场进行屏蔽。
通过结合内部和外部监控机制，确保优化双重片上过电流检测。内部OCD阈值的响应时间仅为2μs，外部响应时间为10μs。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
Microchip的加速碳化硅（SiC）开发工具包包括快速优化Microchip SP6LI 低电感SiC模块和系统系列性能所需的硬件和软件元素。
该新工具使设计人员可以利用AgileSwitch®智能配置工具（ICT）和设备编程器，通过软件升级来调整系统性能，无需焊接。
Microchip的SP6LI 超低电感SiC MOSFET电源模块在80°C的外壳温度下具有700V，538A至1200V，394A至754A的相脚拓扑。
核心处理器C28x内核规格32-位速度90MHz连接能力CANbus，I2C，McBSP，SCI，SPI，UART/USART外设欠压检测/复位，DMA，POR，PWM，WDTI/O 数54程序存储容量256KB（128K x 16）程序存储器类型闪存EEPROM 容量-RAM 大小50K x 16电压 - 供电 (Vcc/Vdd)1.71V ~ 1.995V数据转换器A/D 16x12b振荡器类型内部工作温度-40°C ~ 105°C（TA）安装类型表面贴装型封装/外壳100-LQFP供应商器件封装100-LQFP（14x14）
这些传感器的集成导体的电阻损耗特别低：SOIC-8为0.9mΩ，SOIC-16则为0.75mΩ。根据差分测量原理，不需要对杂散场进行屏蔽。
通过结合内部和外部监控机制，确保优化双重片上过电流检测。内部OCD阈值的响应时间仅为2μs，外部响应时间为10μs。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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