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高电子迁移率晶体管SmartEnviro产品的特点与优势

发布时间:2021/2/11 15:28:49 访问次数:459

Teledyne e2v HiRel为其基于GaN Systems技术的650伏行业领先高功率产品系列新增两款耐用型GaN功率HEMT(高电子迁移率晶体管)。

全新大功率HEMT——TDG650E30B和TDG650E15B——分别提供30A和15A的较低电流性能,而去年推出的第一款650 V产品TDG650E60提供60A的电流。

650 V GaN HEMT是市面上电压最高的GaN功率器件,用于要求严格的高可靠性军事、航空电子和太空应用,是诸如电源、电机控制和半桥拓扑等应用的理想之选。

最小工作温度:- 65 C 最大工作温度:+ 150 C 资格:AEC-Q101 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 直流电流增益 hFE 最大值:300 高度:1 mm 长度:3 mm 技术:Si 宽度:1.4 mm 商标:Nexperia 集电极连续电流:- 200 mA 直流集电极/Base Gain hfe Min:30 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors 工厂包装数量:3000 子类别:Transistors 零件号别名:933776010215 单位重量:7.500 mg

SmartEnviro产品的特点与优势包括:超低功耗 直接CO2检测 数字接口(I2C).

小型化封装 提供非常宽的检测范围(400 ppm到50000 ppm) 集成16位微控制器进行板级可编程能力的解决方案.

后台校准以保持长期稳定性 符合RoHS和绿色环保要求除了物联网用户解决方案,TCE-11101还可以实现广泛的健康和商业应用,如气体泄漏检测,同时还可以确保高精度。

易于集成及可编程性有助于简化最终系统设计及部署。


(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)


Teledyne e2v HiRel为其基于GaN Systems技术的650伏行业领先高功率产品系列新增两款耐用型GaN功率HEMT(高电子迁移率晶体管)。

全新大功率HEMT——TDG650E30B和TDG650E15B——分别提供30A和15A的较低电流性能,而去年推出的第一款650 V产品TDG650E60提供60A的电流。

650 V GaN HEMT是市面上电压最高的GaN功率器件,用于要求严格的高可靠性军事、航空电子和太空应用,是诸如电源、电机控制和半桥拓扑等应用的理想之选。

最小工作温度:- 65 C 最大工作温度:+ 150 C 资格:AEC-Q101 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 直流电流增益 hFE 最大值:300 高度:1 mm 长度:3 mm 技术:Si 宽度:1.4 mm 商标:Nexperia 集电极连续电流:- 200 mA 直流集电极/Base Gain hfe Min:30 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors 工厂包装数量:3000 子类别:Transistors 零件号别名:933776010215 单位重量:7.500 mg

SmartEnviro产品的特点与优势包括:超低功耗 直接CO2检测 数字接口(I2C).

小型化封装 提供非常宽的检测范围(400 ppm到50000 ppm) 集成16位微控制器进行板级可编程能力的解决方案.

后台校准以保持长期稳定性 符合RoHS和绿色环保要求除了物联网用户解决方案,TCE-11101还可以实现广泛的健康和商业应用,如气体泄漏检测,同时还可以确保高精度。

易于集成及可编程性有助于简化最终系统设计及部署。


(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)


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