运算放大器内部电路的EMI侵入路径
发布时间:2021/1/26 13:26:24 访问次数:577
运算放大器的EMI干扰一般是从抗EMI干扰性能比较薄弱的输入端子侵入，所以大多只对输入端子实施EMI抗干扰对策。
新日本无线彻底分析了运算放大器内部各部分电路的EMI侵入路径和对电路工作的影响以及出现故障的机理，对各部分电路实施了最佳的EMI抗干扰对策。
因为该产品是对IC内部电路实施的抗干扰对策，所以很少受到芯片版图设计和封装条件的影响，能够提供稳定的抗EMI干扰性能，从而降低了噪声干扰测试后再从头开始设计的风险。
制造商:Diodes Incorporated 产品种类:肖特基二极管与整流器 产品:Schottky Diodes 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOD-123-2 配置:Single 技术:Si If - 正向电流:500 mA Vrrm - 重复反向电压:30 V Vf - 正向电压:0.43 V Ifsm - 正向浪涌电流:5.5 A Ir - 反向电流 :130 uA 最小工作温度:- 65 C 最大工作温度:+ 125 C 系列: 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 高度:1.25 mm 长度:2.85 mm 端接类型:SMD/SMT 类型:0.5A Surface Mount Schottky Barrier Rectifier 宽度:1.7 mm 商标:Diodes Incorporated Pd-功率耗散:410 mW 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers 3000 子类别:Diodes & Rectifiers 单位重量:10 mg
256Mb NAND闪存TC58DVM82F1XB00，它是16位接口而不是通常的8位接口，降低了数据传输的时间。每读周期的要传输的数据增加了两倍，降低了查找每页数据所需的时间大约50%。
用标准的8位接口传输528B的一页所需的时断时间为26.4ms，而用16位宽的接口，则减小为13.2ms。
东芝最初推出的x16 NAND闪存是手机中用得最多的256Mb器件。
该单芯片256Mb x16 NAND闪存型号为TC58DVM82F1XB00，目标应用在手机，PDA和其它移动设备中。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
运算放大器的EMI干扰一般是从抗EMI干扰性能比较薄弱的输入端子侵入，所以大多只对输入端子实施EMI抗干扰对策。
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因为该产品是对IC内部电路实施的抗干扰对策，所以很少受到芯片版图设计和封装条件的影响，能够提供稳定的抗EMI干扰性能，从而降低了噪声干扰测试后再从头开始设计的风险。
制造商:Diodes Incorporated 产品种类:肖特基二极管与整流器 产品:Schottky Diodes 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOD-123-2 配置:Single 技术:Si If - 正向电流:500 mA Vrrm - 重复反向电压:30 V Vf - 正向电压:0.43 V Ifsm - 正向浪涌电流:5.5 A Ir - 反向电流 :130 uA 最小工作温度:- 65 C 最大工作温度:+ 125 C 系列: 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 高度:1.25 mm 长度:2.85 mm 端接类型:SMD/SMT 类型:0.5A Surface Mount Schottky Barrier Rectifier 宽度:1.7 mm 商标:Diodes Incorporated Pd-功率耗散:410 mW 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers 3000 子类别:Diodes & Rectifiers 单位重量:10 mg
256Mb NAND闪存TC58DVM82F1XB00，它是16位接口而不是通常的8位接口，降低了数据传输的时间。每读周期的要传输的数据增加了两倍，降低了查找每页数据所需的时间大约50%。
用标准的8位接口传输528B的一页所需的时断时间为26.4ms，而用16位宽的接口，则减小为13.2ms。
东芝最初推出的x16 NAND闪存是手机中用得最多的256Mb器件。
该单芯片256Mb x16 NAND闪存型号为TC58DVM82F1XB00，目标应用在手机，PDA和其它移动设备中。
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