运算放大器用途广泛，相同运算放大器会安装到各种电气电子设备里。各种设备要求的EMC规格有所不同，所以对于单体运算放大器的抗EMI干扰性能的比较和测试是非常重要的。

NJM2904B / NJM2902B 是遵照国标IEC 62132-4※3以及JEITA标准ED-5008※4的适当基准，进行了产品比较和测试，确定获得了业界顶级水准的抗干扰性能，在新品研发设计和探讨更换部件时，您可放心使用此款运算放大器。

考虑到叠加在线束上的干扰噪声会从放大器的电源端子侵入，所以至此的干扰对策还不算完全。

制造商:STMicroelectronics 产品种类:达林顿晶体管 配置:Single 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:100 V 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V 集电极—基极电压 VCBO:100 V 最大直流电集电极电流:8 A 最大集电极截止电流:50 uA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220-3 最大工作温度:+ 150 C 系列: 封装:Tube 高度:9.15 mm 长度:10.4 mm 宽度:4.6 mm 商标:STMicroelectronics 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 产品类型:Darlington Transistors 1000 子类别:Transistors 单位重量:6 g

东芝的256Mb x16 NAND闪存是3.3V单芯片器件，结构为264字X32页X2048区，有264字的寄存器，允许程序和读数据能在寄存器和存储器单元阵列之间传输，增量为+256字。擦除是以8K字+256字X32页的单一区块来实现。它利用I/O引脚作为地址和数据的输入/输出以及指令的输入。

东芝的x16闪存是BGA封装或和其它存储器产品封在一起的多片式封装（MCP），以支持各种不同的应用。东芝提供NOR，SRAM，NAND和假SRAM组合的MCP，为移动电子设备提供灵活的存储器解决方案。MCP封装有更小的占位面积，重量更轻，特别能满足手机的需求。