位置:51电子网 » 技术资料 » 存 储 器

EMI滤波器满足MIL-STD-461C厚膜电路装配技术

发布时间:2021/1/20 19:14:32 访问次数:668

新转换器目标用在功率系统的电负载调整,采用厚膜电路装配技术,以减小体积和重量。产品的输入电压为通常的28V,标准的输出电压,单电压输出为3.3V,5V,12V和15V,双电压输出为+/-5V,+/-12V和+/-15V。转换器包括有输入EMI滤波器,能满足MIL-STD-461C的要求。

它的主要性能如下:总离子剂量(TID)大于25krad;SEE大于37MeV-cm2/mg; 满足MIL-STD-461C,CE01和CS01;重量小于85克;工作温度-55到125度C;TTL兼容开/关指令;外形尺寸2.3"L x 1.5"W x 0.405"H。

制造商:NXP 产品种类:CAN 接口集成电路 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 类型:High Speed 数据速率:5 Mb/s 激励器数量:1 Driver 接收机数量:1 Receiver 电源电压-最大:5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电源电流:80 mA 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 150 C 产品:CAN Transceivers 商标:NXP Semiconductors 接口类型:CAN 工作电源电压:4.5 V to 5 V 产品类型:CAN Interface IC 传播延迟时间:90 ns 支持协议:CAN 子类别:Interface ICs

铁电随机存储器(FeRAM),它是非易失性的低功耗高密度和高速度的存储器,很适合用在下一代移动设备和SoC应用。

推出的4Mb和8Mb密度,采用先进的0.25微米工艺制造,FeRAM工作在3.0V电压,数据存取速度为70ns,能进行1000亿次读/写操作。

和现有的两个晶体管和两个电容的结构不同,新推出的FeRAM采用一个晶体管和一个电容(1T1C)单元结构,以得到百万级的密度,工作电压可低于1.0V,超出传统的FeRAM的限制。

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

新转换器目标用在功率系统的电负载调整,采用厚膜电路装配技术,以减小体积和重量。产品的输入电压为通常的28V,标准的输出电压,单电压输出为3.3V,5V,12V和15V,双电压输出为+/-5V,+/-12V和+/-15V。转换器包括有输入EMI滤波器,能满足MIL-STD-461C的要求。

它的主要性能如下:总离子剂量(TID)大于25krad;SEE大于37MeV-cm2/mg; 满足MIL-STD-461C,CE01和CS01;重量小于85克;工作温度-55到125度C;TTL兼容开/关指令;外形尺寸2.3"L x 1.5"W x 0.405"H。

制造商:NXP 产品种类:CAN 接口集成电路 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 类型:High Speed 数据速率:5 Mb/s 激励器数量:1 Driver 接收机数量:1 Receiver 电源电压-最大:5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电源电流:80 mA 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 150 C 产品:CAN Transceivers 商标:NXP Semiconductors 接口类型:CAN 工作电源电压:4.5 V to 5 V 产品类型:CAN Interface IC 传播延迟时间:90 ns 支持协议:CAN 子类别:Interface ICs

铁电随机存储器(FeRAM),它是非易失性的低功耗高密度和高速度的存储器,很适合用在下一代移动设备和SoC应用。

推出的4Mb和8Mb密度,采用先进的0.25微米工艺制造,FeRAM工作在3.0V电压,数据存取速度为70ns,能进行1000亿次读/写操作。

和现有的两个晶体管和两个电容的结构不同,新推出的FeRAM采用一个晶体管和一个电容(1T1C)单元结构,以得到百万级的密度,工作电压可低于1.0V,超出传统的FeRAM的限制。

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

热门点击

 

推荐技术资料

循线机器人是机器人入门和
    循线机器人是机器人入门和比赛最常用的控制方式,E48S... [详细]
版权所有:51dzw.COM
深圳服务热线:13692101218  13751165337
粤ICP备09112631号-6(miitbeian.gov.cn)
公网安备44030402000607
深圳市碧威特网络技术有限公司
付款方式


 复制成功!