门驱动器和MOSFET之间配合完善，使延迟时间达到最小。

NIS3001面积仅为10.5 mm x 10.5 mm。与单个SO-8驱动器配合两个D2PAK或四个DPAK MOSFET的分立器件方法相比，它大幅缩小电路板空间占用达50%。采用分立器件方法需占用0.58平方英寸电路板空间，而NIS3001仅占用0.17平方英寸。

电流密度达每平方英寸10安培的先进微处理器电源。采用分立器件通常仅能获得每平方英寸5安培的电流密度。这一领先技术也有助于大大节省电源在日渐缩小的电路板的占用空间。

TIDA-010026该参考设计演示了EnDat 2.2编码器的强大接口。

显示了EMC抗扰性，尤其是对快速瞬变（例如逆变器开关噪声）抗扰性。

编码器电源电压是可配置的，并且集成了短路保护功能，以防止由于电缆短路或接线错误而造成损坏，

并提供诊断反馈以检测故障。逻辑接口支持3.3V至1.8V I / O。

该设计与TI LaunchPad™开发套件兼容，可通过C2000™MCU轻松评估EnDat2.2。

此设计已通过多个EnDat 2.2编码器进行了长达100米电缆的测试。

窗口结构避免了COD损耗，是因为它不吸收输出光功率。这种结构也把激光束的纵横比降低到小于2.5，使激光二极管和光纤的耦合更有效。ML861E5S泵激光二极管提供优异的500mW工作输出功率，反射率不到1%。

ML8627S泵激光二极管采用涂层在很宽的温度范围内(5-85度C)来稳定波长。这种工艺比起传统的980nm泵激光二极管，其波长变化减小20%。涂层还有另外的好处，它比用在传统的长距离和海底电缆网络的泵激光二极管中的光栅要便宜得多。

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）