模拟驱动器封装与分立开关共同封装，这是直流/直流转换器的创举。这种封装套封装的方法确保了高良率裸片，并提高了高频电源设计的性能，更简化了混合技术的制造程序。

NIS3001由QFN封装的CMOS模拟门驱动器NCP5351和两个MOSFET裸芯片组成。

高边的NTC60N02R和低边的NTC95N02 MOSFETs结合了安森美半导体的专利HD3E平面技术，具有世界级转换性能。NIS3001内具有导通电阻极低(2.6 毫欧)的用作同步MOSFET的器件，和速度极快以控制MOSFET的器件。

超过海德汉EnDat 2.2时钟频率，

最长20m可达16 MHz，

最长100m电缆可达8 MHz

强大的接口，

具有较高的EMC抗扰性，

得益于宽电源范围3.3V至5V，

半双工RS-485收发器（THVD1450），

50 Mbaud，

具有±15V共模范围，

16kV IEC-ESD和4kV电子转帐

经过测试的设计符合ESD

（IEC61000-4-2），EFT（IEC61000-4-4）

电涌（IEC61000-4-5）的EMC抗扰度要求，

并符合IEC61800-3的等级和合格标准

可配置的编码器默认电压为8 V，

低纹波（<50mVpp）输出符合Endat2.2规范

编码器电源保护的250 mA标称输出电流

具有短路保护和电源良好的反馈，

可用于诊断

逻辑接口默认3.3 V I / O到主机处理器

（例如C2000 MCU或Sitara®处理器）

以运行EnDat 2.2主软件

980nm波长泵激光二极管ML861E5S，它能输出超高峰值功率1100mW，而不会对密集波分多路复用(DWDM)应用带来灾难性的光学损害(COD)。

不需冷却的ML8627S激光二极管在大城市区域网的应用中，在整个温度范围提供优异的波长稳定性。两种二极管用作掺尔光纤放大器(EDFA)的泵源。

ML861E5S泵激光二极管在用硅离子注入所形成的量子井所形成的创新的窗口结构中，能输出1100mW峰值功率，其拐点输出功率为750mW。

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）