CMOS采用与逻辑电路和微处理器芯片的制造技术
发布时间:2020/12/30 0:57:26 访问次数:542
DDR存储器控制器和DDR SDRAM存储器之间接口，支持8位宽接口和用来并行处理数据总线宽度32/64/128位，支持X4，X8，X16和X32存储器宽度。
高达8个可配置32/64位AHB端口。支持大范围的系统要求和DDR存储器器件。可编程时隙判定。
两款数字音频接口产品均采用3.3V电源，支持一个逻辑电平3.3V 至 5.0V的直接接口，并允许在无微控制器的系统中独立运行。
CS8416和CS8406两款器件均可采用28管脚SOIC及TSSOP封装。
制造商: Texas Instruments
产品种类: 电源开关 IC - 配电
RoHS: 详细信息
输出端数量: 2 Output
输出电流: 2.5 A
电流限制: 2.5 A
工作电源电压: 2.5 V to 6.5 V
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: VSON-10
系列: TPS2561-Q1
资格: AEC-Q100
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
商标: Texas Instruments
湿度敏感性: Yes
产品类型: Power Switch ICs - Power Distribution
工厂包装数量: 3000
子类别: Switch ICs
电源电压-最大: 6.5 V
电源电压-最小: 2.5 V
单位重量: 39.300 mg
芯片将促进相机在数字消费产品中推广应用，虽然电耦合器件CCD在高分辨率中占有主要地位，大多数相机和摄像机还要依靠这项技术，但是基于CMOS的成像技术为制造商和最终用户简易低廉地摄取优质图像提供了机会，而且这种图像容易存储、管理和共享。
CMOS传感器还受益于巨大的规模经济和计算机分辨率的专门技术，因为CMOS采用与逻辑电路和微处理器芯片相同的制造技术。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
DDR存储器控制器和DDR SDRAM存储器之间接口，支持8位宽接口和用来并行处理数据总线宽度32/64/128位，支持X4，X8，X16和X32存储器宽度。
高达8个可配置32/64位AHB端口。支持大范围的系统要求和DDR存储器器件。可编程时隙判定。
两款数字音频接口产品均采用3.3V电源，支持一个逻辑电平3.3V 至 5.0V的直接接口，并允许在无微控制器的系统中独立运行。
CS8416和CS8406两款器件均可采用28管脚SOIC及TSSOP封装。
制造商: Texas Instruments
产品种类: 电源开关 IC - 配电
RoHS: 详细信息
输出端数量: 2 Output
输出电流: 2.5 A
电流限制: 2.5 A
工作电源电压: 2.5 V to 6.5 V
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: VSON-10
系列: TPS2561-Q1
资格: AEC-Q100
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
商标: Texas Instruments
湿度敏感性: Yes
产品类型: Power Switch ICs - Power Distribution
工厂包装数量: 3000
子类别: Switch ICs
电源电压-最大: 6.5 V
电源电压-最小: 2.5 V
单位重量: 39.300 mg
芯片将促进相机在数字消费产品中推广应用，虽然电耦合器件CCD在高分辨率中占有主要地位，大多数相机和摄像机还要依靠这项技术，但是基于CMOS的成像技术为制造商和最终用户简易低廉地摄取优质图像提供了机会，而且这种图像容易存储、管理和共享。
CMOS传感器还受益于巨大的规模经济和计算机分辨率的专门技术，因为CMOS采用与逻辑电路和微处理器芯片相同的制造技术。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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