NIS3001填补了这项技术空缺，它在1MHz下能提供高达20安培的电流。它还能将先进微处理器平台上的电源功效提升4%。NIS3001率先采用安森美半导体创新的PInPAK?(电源集成封装)技术。该技术理念包括在标准QFN封装内装配模拟驱动器裸芯片。然后该模拟QFN连同两块MOSFET裸芯片共同封装在一个主电源QFN导线架内。整个模块以Mold Array Process (MAP)塑模。

NIS3001应用在符合VRM 9和VRM 10电源规范的直流/直流转换器和通信降压转换器上，它设计简洁，寄生电感极低，转换性能良好。

制造商: Mini-Circuits

产品种类: 射频放大器

RoHS: 详细信息

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: MCLP-8

类型: Low Noise Amplifier

技术: Si

工作频率: 0.4 GHz to 3 GHz

P1dB - 压缩点: 17.3 dBm

增益: 9.1 dB

工作电源电压: 3 V

NF—噪声系数: 0.78 dB

测试频率: 3 GHz

OIP3 - 三阶截点: 38.6 dBm

工作电源电流: 56 mA

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 85 C

系列: PMA2

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

商标: Mini-Circuits

通道数量: 1 Channel

输入返回损失: 12.3 dB

Pd-功率耗散: 0.5 W

产品类型: RF Amplifier

工厂包装数量: 2000

子类别: Wireless & RF Integrated Circuits

单位重量: 4.885 g

ML8627S作为不需冷却的器件，用户能节省模块的空间，降低成本，因为不需要热控制器。

ML861E5S的指标：输出功率为500mW(25度C的典型值)；阈值电流为110mA(25度C的典型值)；反射率小于1%；激光束分散度：平行8度，垂直19度；纵横比小于2.5。

M8627S的指标：输出功率为200mW(25度C的典型值);阈值电流为70mA(25度C的典型值)；波长稳定度：980 +/- 10 nm (0-200 mW; 0-70 度C)；激光束分散度：平行8度，垂直19度；纵横比小于2.5。

现在可提供ML861E5S的样品，封装为TO-CAN或载体上芯片.

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）