多端口DDR存储器器控制器100ppm/度的基准电压
发布时间:2021/1/2 16:51:15 访问次数:701
多端口DDR存储器器控制器,和昨天公布的LSI Logic公司的DDR PHY 核一起,给LSI Logic公司的客户提供了芯片上系统(SoC)ASIC和Rapid Chip设计的完整的DDR存储器系统接口解决方案。
DDR控制器支持8个32/64位可配置的端口。这种灵活的结构能很容易支持新的线路缓冲器写入总线配置,判定方案和128/256/512M位DDR存储器。
在它的默认配置,存储器控制器提供片上接口,支持多个高级微控制器结构(AMBATM)ABH线路缓冲器,其配置宽度和深度适用于完整的多端口AMBA存储器子系统。
制造商:Renesas Electronics 产品种类:参考电压 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 参考类型:Series Precision References 输出电压:2.5 V 温度系数:3 PPM/C 串联VREF—输入电压—最大值:18 V 分流电流—最大值:7 mA 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 125 C 封装:Tube 准确性:100 uV/mA 高度:1.5 mm (Max) 输入电压:18 V 长度:5 mm (Max) 宽度:4 mm (Max) 商标:Renesas / Intersil 拓扑结构:Series References 负载调节:100 uV/mA 产品类型:Voltage References 工厂包装数量100 子类别:PMIC - Power Management ICs 单位重量:540 mg
AduC832,AduC842,除了由32KHz晶体和片上的PLL产生的高频工作时钟外,其它分别和AduC831/41相同。AduC831/32有8通道200KSPS的ADC和100ppm/度的基准电压。AduC841/42提供更高吞吐量的8通道ADC(高达400KSPS),更高精度的基准电压(20ppm/度)和增强I2C接口以及更高内核速度。
AduC836是AduC816存储器扩充版,包括有双16位Sigma-Delta ADC,12位DAC,温度传感器,基准电压和上面描述的同样数字外设。对于24位性能,AduC824/34提供完全兼容的升级路径。所有器件都是52引脚的更小的(8x8mm)芯片级塑料四方扁平封装。
多端口DDR存储器器控制器,和昨天公布的LSI Logic公司的DDR PHY 核一起,给LSI Logic公司的客户提供了芯片上系统(SoC)ASIC和Rapid Chip设计的完整的DDR存储器系统接口解决方案。
DDR控制器支持8个32/64位可配置的端口。这种灵活的结构能很容易支持新的线路缓冲器写入总线配置,判定方案和128/256/512M位DDR存储器。
在它的默认配置,存储器控制器提供片上接口,支持多个高级微控制器结构(AMBATM)ABH线路缓冲器,其配置宽度和深度适用于完整的多端口AMBA存储器子系统。
制造商:Renesas Electronics 产品种类:参考电压 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 参考类型:Series Precision References 输出电压:2.5 V 温度系数:3 PPM/C 串联VREF—输入电压—最大值:18 V 分流电流—最大值:7 mA 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 125 C 封装:Tube 准确性:100 uV/mA 高度:1.5 mm (Max) 输入电压:18 V 长度:5 mm (Max) 宽度:4 mm (Max) 商标:Renesas / Intersil 拓扑结构:Series References 负载调节:100 uV/mA 产品类型:Voltage References 工厂包装数量100 子类别:PMIC - Power Management ICs 单位重量:540 mg
AduC832,AduC842,除了由32KHz晶体和片上的PLL产生的高频工作时钟外,其它分别和AduC831/41相同。AduC831/32有8通道200KSPS的ADC和100ppm/度的基准电压。AduC841/42提供更高吞吐量的8通道ADC(高达400KSPS),更高精度的基准电压(20ppm/度)和增强I2C接口以及更高内核速度。
AduC836是AduC816存储器扩充版,包括有双16位Sigma-Delta ADC,12位DAC,温度传感器,基准电压和上面描述的同样数字外设。对于24位性能,AduC824/34提供完全兼容的升级路径。所有器件都是52引脚的更小的(8x8mm)芯片级塑料四方扁平封装。